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表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响 被引量：1
1
作者 杨林安 张义门 +2 位作者 于春利 杨永民 张玉明 《计算物理》 CSCD 北大核心 2003年第5期418-422,共5页
　分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.
关键词 碳化硅功率金属—半导体场效应晶体管 表面态 钝化 非线性解析模型 输出特性 栅源 栅漏 稳态响应 瞬态响应
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