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雪崩探测器用硅材料中微缺陷的初步探讨 被引量:2
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作者 浦树德 王旗 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期35-39,共5页
综述了国内外同行对硅材料中微缺陷的有关研究,叙述了微缺陷(下称MD)对硅雪崩光电探测器(Si-APD)性能的影响和消除措施,介绍了目前已有的检测方法,最后进行了讨论。
关键词 硅单晶 微缺陷 硅材料 雪崩探测器
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