国外硅单晶质量研究进展

文章收集了１９８６年以来半导体物理国际会议发表的有关硅单晶质量的研究报告和成果。全文共分五大部分。内容包括氧、氢、碳、金属过渡元素等杂质的行为，硅中各种缺陷的产生及其性质，缺陷的消除及控制技术。