基于灰度自适应增强的DKDP晶体损伤检测

在磷酸二氢钾(KDP)及磷酸二氘钾(DKDP)晶体损伤研究中需要对图像中损伤点进行统计,为了解决损伤图像中弱小损伤点的低对比度导致统计不准确的问题,提出一种基于局部直方图灰度自适应增强的损伤点检测方法。首先利用图像差分去除高频背景,然后根据图像中每个像素邻域的灰度与方差和整幅图像的灰度与方差之间的差异性,筛选出待增强像素,并通过邻域最大灰度值与全局最大灰度值得出灰度调节系数,对图像进行自适应增强,最后对增强后的图像进行阈值分割及目标分离。实验结果表明该增强算法可以使弱小损伤点的信噪比得到提升,更利于检测出图像中的弱小损伤点,提高DKDP晶体损伤研究中损伤点统计的准确性。

InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响(英文)

系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测试结果表明,二维电子气的电子迁移率和载流子浓度都随Tch的减小而降低。基于几何相位分析算法对部分样品的高分辨透射电镜图像进行了处理,得到了其应变分布图。结果表明,应变主要分布在量子点的周围,并延伸到了量子点的上方。该不均匀的应力场可能是除库伦散射外影响电子迁移率降低的另一个重要因素。

热压烧结尖晶石多晶微波铁氧体材料研究

采用普通陶瓷工艺制备了尖晶石多晶微波LiZn铁氧体XJ50粉料,采用热压烧结制备了铁氧体材料,研究了热压烧结工艺参数对材料微观结构、电磁性能的影响。结果表明,在实验烧结温度范围950~1020℃,各样品均具有致密、均匀的单相尖晶石LiZn铁氧体结构,气孔率P均小于0.75%;烧结温度980℃、400℃开始加压1 t的条件下,材料的电磁性能最好,饱和磁化强度4πM_(s)达到5017 G、铁磁共振线宽ΔH降低到150 Oe以下、自旋波线宽ΔH_(k)约为5.8 Oe;在1000℃的相同烧结温度下,热压烧结与普通烧结比较,4πM_(s)由4795 G提高到4880 G,ΔH降低了近15%,ΔH_(k)提高了约83%,材料的P由2%减小到0.7%。热压烧结制备的材料致密、均匀、晶粒小、电磁性能优良,是研制高性能铁氧体材料的有效途径。