GaN基外延结构中EBL层生长工艺对发光效率的影响

根据量子限域电子溢出理论及极化场引起的能带弯曲理论,我们采用不同工艺的EBL层结构,通过控制Al组分分布,在不影响P-GaN层空穴的注入的情况下,提升电子限制能力,提升芯片的发光效率。

LED外延结构中渐变式Al组分的电子限制层

根据外延结构应力导致的极化引起的能带弯曲理论,采用渐变式Al组分的电子限制层(EBL层),可有效提升电子限制能力,同时降低了该层和P-GaN层之间的晶格失配,提高了P-GaN层的外延质量,得到了发光效率更高的GaN基LED外延片。

LED芯片制程中统计过程控制技术的应用

本文从LED外延及芯片生产线应用SPC统计过程控制技术的需求、意义、实施等入手,结合LED外延及芯片产品的工艺特点,给出LED外延及芯片生产线应用SPC统计过程控制技术的方法。

多量子势垒电子阻挡层对UVLED性能的影响

研究了不同厚度的多量子势垒电子阻挡层(MQB-EBLs)对InGaN UV LED的效率的影响。分析了影响不同厚度MQB-EBLs的LED光输出功率(LOP)的主要因素。实验表明,MQB-EBLs的量子阱层和势垒层厚度为分别为2 nm和3 nm时,387 nm UV LED的LOP可显著地提升到8.47 mW。

AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响

在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管（LED）。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量和InGaN/AlGaN近紫外LED（波长395 nm）光电性能的影响。使用透射电子显微镜对外延层的截面结构及位错进行表征。结果表明,随着AlN成核层厚度的增加,位错密度不断减小,且量子阱表面V形坑尺寸逐渐减小。LED器件的光学性能和电学性能随着V形坑尺寸的减小而提高,归一化外量子效率最大值由0.55增至1;在电流350 m A时,正向电压从3.54 V降至3.45 V,又升高至3.60 V。当AlN成核层厚度超过临界值后,位错密度不降反升,量子阱表面的V形坑密度增加,导致量子阱的有效发光面积减小,外延层质量下降。InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与AlN成核层厚度密切相关,最佳AlN成核层厚度为50.22 nm。

稳定员工队伍 促进企业和谐发展

在市场竞争日益激烈的今天,企业间竞争的核心就是人才的竞争。因此,如何吸引外来人才、留住现有人才,成为企业生存发展壮大的根本问题。事实上,留住了企业员工的人和心也就留住了企业的命根。本文分析了企业人才流失的原因,提出了稳定员工的对策和建议。

MOCVD生长高质量InGaN/AlGaN MQW紫光LED的研究

本文利用LP MOCVD系统生长了InGaN/AlGaN MQW紫光LED外延片、并使紫光LED外延的产业化。通过XRD、PL、EL等测试手段对其性能进行表征。结果表明,室温光致发光谱的峰值波长为380-400nm之间,XRD测试半高宽FWHM为17.34 nm波长均匀性良好。制成的LED管芯,正向电流20m A时,EL测试正向电压Vf小于3.4V,反向电压Vz大于18V,亮度大于1.9mcd,漏电流小于0.02m A。并研究了Al掺杂垒含量对MQW紫光LED发光效率的影响,当Al含量为5%时,得到的多量子阱结构的晶体质量最佳。随着Al含量的继续增加,晶体质量下降和正向电压变小,同时发光效率也降低。

GaN基发光二极管外量子效率研究进展

近年来,GaN基发光二极管发展迅猛,但其发光效率一直是制约LED在照明领域广泛应用的主要瓶颈。本文简要介绍了提高发光二极管外量子效率的几种途径:生长分布布喇格反射层(DBR)结构,表面粗化技术,异性芯片技术,采用光子晶体结构,倒装芯片技术,激光剥离技术,透明衬底技术等。

氮化镓基PIN紫外探测器芯片研究

通过对氮化镓基PIN紫外探测器不同外延结构及芯片制备工艺的研究,发现探测器性能和外延层结晶质量及芯片制备工艺有很大的关系。采用ITO扩展电极制备的探测器反向漏电很大,暗电流高,采用Ni/Au半透明电极制备的探测器芯片,光电流相对ITO透明电极有一定程度的降低,但能保证较低的暗电流,防止器件漏电。

工艺冷却水系统研究与应用

工艺冷却水系统常用于半导体、微电子等行业中关键设备的间接冷却。工艺冷却水系统分为开式系统和闭式系统,对工艺冷却水系统组成、工作原理、系统特点及系统模式选择等内容进行了研究。

基于AT89S52单片机的教室照明自动控制系统

本课题旨在实现教室照明的智能化,分析了教室照明的目前情况和原理的实现方法,并构思出在52单片机上设计的教室自动照明智能化的思路,并在此基础上提出了实现教室照明的控制方案。该系统采用AT89S52单片机作为控制模块的核心部件,利用HP208人体传感器检测人体的存在,并使用由光敏三极管组成的电路来测量自然光的强度;教室照明开关的条件,是基于是否检测到人和光照的强度并加上定时开关时间。信号和环境照明,该系统可以实现教室灯光开关的智能化控制,以避免在课堂上大量的浪费。

GaN基LED芯片可靠性优化技术探究

在目前传统的GaN发光二极管中,因为发光部产生的热量无法得到有效的释放直接导致热量出现不断累加的情况致使LED芯片出现了严重的恶化。文章主要探讨了GaN基LED具体芯片自身可靠性优化技术的相应研究,分别讲述了具体的研究方案以及实验结果等内容。

表面粗化提高GaN基发光二极管光提取效率的研究

通过对GaN基发光二极管的表面进行粗化,可以改变出射光的方向,使那些满足全反射光改变方向后折射出来,从而提高了发光二极管的出光效率。实验结果表明,粗化芯片在20mA注入电流下,粗化芯片的光提取效率提高了23%,由于接触面积的增加,正向电压降低了0.11V。