高压SiC基DSRD器件结构设计及脉冲电路优化

针对SiC漂移阶跃恢复二极管难以满足超快脉冲开关高频、大功率的要求,研究了一种高压SiC漂移阶跃恢复二极管(DSRD)器件,建立了相应物理模型。该高压SiC DSRD基区掺杂浓度为5×10^(15) cm^(-3)、厚度为18μm,单片耐压超1800 V、开关时间约500 ps。同时,基于高压SiC DSRD器件等效模型,优化电路参数,在负载端分别实现了8.8 kW、开关时间约500 ps的高压(2.2 kV)脉冲。