TFSOIRESURF器件电势和电场分布的解析研究

在物理模型的基础上,对TFSOIRESURF器件的电势和电场分布进行了解析分析,系统研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、埋层SiO2 厚度和SOI层厚度等结构参数同电势和电场分布的关系,并首次定量分析了在工艺加工过程中必然引入的场SiO2 界面电荷密度的影响。

薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析

提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ 方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型．并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法．利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系，并定量分析了场ＳｉＯ２ 界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响．首次提出了临界场ＳｉＯ２界面电荷密度的概念，并研究了其与漂移区掺杂浓度的关系．而且计算结果与ＭＥＤＩＣＩ模拟结果符合得很好．

栅结漏电流对GaAs MMIC中平面肖特基二极管C-V特性的影响

构造了考虑栅结漏电流影响的平面肖特基二极管电容计算模型，并用此模型对同一结构不同漏电流的肖特基二极管作了计算分析。计算结果显示，所构造模型与实验结果符合得很好，同时揭示出栅结漏电流对Ｃ—Ｖ特性确有影响。这种影响表现为，在一定的栅压范围内，随着栅结漏电流的增大，Ｃ—Ｖ曲线明显上抬。文中还与其它未考虑栅结漏电流影响的模型作了对比。