pA量级质子束流测量系统

研制的质子束流测量系统，本底电流仅为１０－ １４Ａ 量级，可测最大电流达ｍ Ａ 量级。在质子单粒子效应实验中，测得了ｐＡ 量级的质子束流及其随时间变化的关系，为半导体器件单粒子翻转截面的计算提供了必需的数据。

北京正负电子对撞机次级束模拟质子单粒子效应分析

首次从利用高能电子打靶产生的质子进行半导体器件的单粒子效应（ＳＥＥ）实验研究的角度分析了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）次级束中的质子的能量范围和产额，计算了３种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围，估算了反应截面。研究表明：选取重核做靶可以不同程度地提高质子产生截面，质子的微分产额（ｄ２ＹｄＥｄΩ）可达１．６６×１０－３ｓ－１·ｓｒ－１·ｅＶ－１。可以用ＢＥＰＣ次级束中的质子做翻转截面比较大（σ＝１０－８ｃｍ２）的半导体器件的单粒子效应实验研究。

基于改进型微带线谐振腔体的微波介电性能测试系统研究

随着5G时代的到来,高频下介质电性能的精确测量对微波电路设计愈发重要。毫米波频段下,器件尺寸减小、高k材料的应用等各方因素作用,致使材料Z轴方向(厚度方向)的介电性能受到更多关注。业界至今还未形成对毫米波频段下介电材料性能测试的标准,寻得一种精确测量Dk、Df的测试方法是必要的。本课题基于IPC-TM650-2.5.5.5c,对当下高频领域的测试方法进行比对,并针对当下需求及其存在的问题,设计并提出一种基于改进型微带线谐振腔体的微波介电性能测试系统解决方案,从腔体设计、耦合方式以及基板等各方面实现优化。对改进型微带线谐振腔体在10G、26G进行了实用性测试,相比于IPC-TM650-2.5.5.5c测试方法,改进型微带线谐振腔体在品质因数提高近五倍。与传统方法相比,该测试方法不仅精度更高,损耗小,而且极大的降低了行业门槛,这为微波测试行业的产业化、规模化强力助推,为工业实现电路板基材介电性能在线检测提供了经济化的解决方案,因此将具有十分广阔的应用前景。

n型6H-SiC体材料欧姆接触的制备

本文报道了采用Au／NiCr在n型6H－SiC体材料上制备欧姆接触的实验结果，依次蒸发NiCr合金（重量百分比为80％Ni：20％Cr）和金层，高温退火后形成欧姆接触，用改进的四探针法测得最小比接触电阻为8．4×10-5·cm2．达到了应用的要求．

EEPROM 28C64和28C256的14MeV中子辐照特性

给出了 Ｅ Ｅ Ｐ Ｒ Ｏ Ｍ 器件的中子辐照实验结果，发现 ２８ Ｃ６４ 和 ２８ Ｃ２５６ 的 １４ Ｍ ｅ Ｖ 中子辐照效应不是以往所认为的单粒子效应，而是总剂量效应。器件出现的错误不是随机的，而是存在中子注量阈值；不同的错误有不同的阈值。在相同的中子注量下，加电的器件出现错误，而不加电的器件无错误；对于 ２８ Ｃ２５６，“０”→“１”错误比“１”→“０”错误容易发生；存贮单元由一种状态彻底变为相反状态之前的一段时间内，其状态是不确定的；停止辐照后，中子注量不再增加时，错误数仍在增加，说明是控制部件出错导致的。

SiC肖特基势垒二极管的研制

本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（Ｐｔ）做肖特基接触在ｎ 型６ＨＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性．对实验结果进行了比较分析，ＩＶ特性测量说明Ｐｔ／６ＨＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特性，热电子发射是其主要的输运机理，理想因子为１２３，肖特基势垒高度为１０３ｅＶ，开启电压约为０５Ｖ．

单场限环结构击穿电压的表面电荷效应分析

本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式，并根据场限环优化条件，首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型，得到了考虑表面电荷效应后，优化单场限环结构击穿电压以及优化环间距的归一化计算公式．分析了表面电荷密度对场限环结构耐压和优化环间距的影响，计算结果与文献中的数值模拟结果相符合。

用于GaAs功率MESFET的新型钝化膜

用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后几乎没有改变。还给出了器件的微波特性。实验证明，AlN钝化的器件性能较好，它是一种很有前途的GaAs钝化材料。

基于表面势的MOSFET模型

基于表面势的模型由于其本质上的优点 ,在小尺寸器件建模中日趋得到重视。文中通过对几种典型的表面势模型的分析 ,论述了基于表面势模型的建模思想、特点和在电路模拟中的优越性。分析表明 ,这是一种基于物理描述的模型 ,具有连续性、物理意义明确、结构简明等特点 ,对建立小尺寸器件整体模型非常适合和有效。

FLASHROM28F256和29C256的14MeV中子辐照实验研究

给出了国内首次 FL ASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现 2 8F2 56和 2 9C2 56器件的14Me V中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应 ,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值 ,当中子注量小于某一个值时 ,无错误 ;当中子注量达到一定值时 ,开始出现错误。随着中子注量的增加 ,错误数增加 ,直到所有“0”变为“1”。动态监测和静态加电的器件都出现硬错误 ,不能用编程器重新写入数据。错误随读取次数的增加而增加。在相同的中子注量下 ,不加电的器件无错误 ,而加电的器件都出现错误 。

SiC、GaAs和Si的高温特性比较

采用杂质半导体电导率的本征化和pn结热击穿方法研究了SiC、GaAs和Si材料的高温特性。理论计算表明Si、Ge、GaAs、3C－SiC和6H－SiC器件的最高工作温度分别为450、175、650、1500和2100℃。在室温至400℃以内，硅和砷化镓器件由于工艺成熟、性能稳定而成为主流，SiC材料的器件在大于500℃的特高温区和高温大功率方面则有巨大的优势。

蝶形电极结构载流子注入全内反射交叉脊形光波导开关

分析了一种蝶彩电极结构交叉脊形光波导开关．这种结构可使波导交叉角增大，反射损耗降低，传输端的消光比提高，波导的数值孔径变大，且有较小的串音．

6H-SiC JFET高温解析模型

本文报道了一个在较宽温度范围内能精确描述6HSiCJEFT性能（包括亚阈区）的器件模型，器件的电流电压特性由包含少数几个物理模型参数连续统一的解析表达式表述该模型也包括了串联电阻效应、沟道中电子速度饱和效应、饱和区的有限输出电导、温度决定的模型参数等效应载流子的计算考虑了SiC中杂质能级特点，采用两级电离模型，模拟了典型结构器件的高温特性。

6H-SiC MOS场效应晶体管的研制

报道了多晶硅栅 6 H- Si C MOS场效应器件的制造工艺和器件性能。 6 H- Si C氧化层的SIMS分析说明在氧化过程中 ,多余的 C以 CO的形式释放 ,铝元素逸出极少 ,氧化层中因有较多的铝而正电荷密度较大 ,Si C的氧化速率和掺杂类型关系不大。器件漏电流都有很好的饱和特性 ,最大跨导为 0 .36 m S/ mm ,沟道电子迁移率约为 14cm2 / V.s,但串联电阻效应明显。

多模干涉导波Si_(1-x)Ge_x/Si波分复用器

利用多模干涉自成象原理分析设计了具有较小循环周期比的１．３μｍ与１．５５μｍ波长的Ｓｉ０．９６Ｇｅ０．０４／Ｓｉ波分复用器．通过模的传播分析法对其传输特性进行分析发现，在８μｍ的耦合区宽度和１１５０μｍ的最佳耦合长度，这种器件对１．３μｍ和１．５５μｍ波长光的对比度均在４０ｄＢ以上，且插入损耗小于４．０×１０－３ｄＢ．

Si_(1-x)Ge_x/Si Y-分支波长信号分离器

利用Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的等离子体色散效应，对１．３μｍ和１．５５μｍ光通信波长的Ｓｉ基Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器进行了理论分析，设计了结构参数和电学参数，并分析了其分支特性．

关于合成立方氮化硼触媒材料的研究

参考国内外的有关工作，进一步研究了合成立方氮化硼（以下简称ｃＢＮ）的触媒材料Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的制备方法，通过改进工艺得到了高纯相Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４（９５％），证明了该触媒对合成ｃＢＮ有良好作用，通过对Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的常、高压相的Ｘ射线谱的分析表明，对合成ｃＢＮ起作用的是Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的高压相而不是常压相．

SO_2气体传感器的新进展

主要介绍了国内外当前SO2 气体传感器的研究现状及其发展趋势 ,并着重介绍了声表面波 (SAW )SO2

异质结双极晶体管基区复合电流的解析模型

从求解异质结双极晶体管基区的二维电流连续性方程出发，推导出了基区少数载流子浓度的解析解，由此获得了基区各种复合电流的解析表达式。基于该模型完成了算法研究和软件编制，计算出了器件所能达到的理论电流增益。