飞秒激光制备异质光纤光栅的温度应变双参数传感器

针对光纤布拉格光栅(FBG)传感器在应用中温度与应变串扰的问题,利用飞秒激光结合相位掩模板法在异质光纤熔接点处刻写FBG,基于FBG的温度或应变响应系数的特点,实现温度与应变双参量的传感测量。分别标定了掺镱-石英FBG和铒镱共掺-石英FBG的温度和应变响应系数,结果表明,铒镱共掺FBG和石英FBG的温度响应系数差异较大,应变响应系数相近,故可用作温度、应变双参数传感测量。经过800℃的高温退火的铒镱共掺-石英异质FBG在700℃温度下可保持长时间反射率稳定,因此可应用于700℃以内的温度和应变双参量解调。

晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响

Ga N基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响.通过使用三种不同的键合衬底(Al2O3衬底,Cu W衬底和Si衬底)以及改变键合温度(290°C,320°C,350°C和380°C),并且使用不同的激光能量密度(875,945和1015 m J·cm-2)进行激光剥离,制备了不同应力状态的Ga N基LED器件.对不同条件下Ga N LED进行弯曲度、Raman散射谱测试.实验结果表明,垂直结构LED中的残余应力的状态是键合衬底和键合金属共同作用的结果,而键合温度影响着垂直结构LED中的残余应力的大小.激光剥离过程中,一定能量密度下激光剥离工艺一般不会对芯片中的残余应力造成影响,但是如果该工艺对Ga N层造成了微裂缝,则会在一定程度上起到释放残余应力的作用.使用Si衬底键合后,外延蓝宝石衬底翘曲变大,对应制备的Ga N基垂直结构LED中的残余应力为张应力,并且随着键合温度的上升而变大;而Al2O3和Cu W衬底制备的LED中的残余应力为压应力,但使用Al2O3衬底键合制备的LED中压应力随键合温度上升而一定程度变大,Cu W衬底制备的LED中压应力随键合温度上升而下降.