PLZST反铁电陶瓷电场诱导相变与相稳定性的研究

在三方铁电（ＦＥ）四方反铁（ＡＦＥ）的准同型相界附近制备了一系列组份为（Ｐｂ０９７Ｌａ００２）（Ｚｒ１－ｘ－ｙＳｎｙＴｉｘ）Ｏ３（ｘ＝００９或０１；０１６≤ｙ≤０３８）的反铁电陶瓷．研究了Ｓｎ含量ｙ对电场诱导ＡＦＥ→ＦＥ相变电场Ｅｃ、反铁电双电滞回线损耗ΔＥ、以及温度诱导ＦＥ→ＡＦＥ相变温度ＴＦＥ，ＡＦＥ→顺电（ＰＥ）相变温度Ｔｃ的影响．沿ＡＦＥＦＥ相界Ｔｉ含量一定的条件下，Ｅｃ随着Ｓｎ含量ｙ的增加而增大，ΔＥ减小，ＴＦＥ与Ｔｃ均降低．场诱相变的回线参量Ｅｃ，ΔＥ与相变温度ＴＦＥ和Ｔｃ相关联．在直流偏压下用原位Ｘ射线衍射表征了相变时晶格结构的变化，结果表明，当电场达到ＡＦＥ→ＦＥ相变临界场时，伴随相变的发生，晶格结构由四方相转变为三方相。