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背照式ZnO紫外焦平面成像阵列制作的刻蚀研究(英文)
1
作者
高群
张景文
侯洵
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期2304-2306,共3页
研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm×25μm,对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析.刻蚀后阵列单元的剖面角约为80°.在刻蚀过程中,刻蚀深度和刻蚀时间呈线性关...
研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm×25μm,对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析.刻蚀后阵列单元的剖面角约为80°.在刻蚀过程中,刻蚀深度和刻蚀时间呈线性关系.还研究了NH4Cl溶液浓度和刻蚀速率之间的关系.时刻蚀后的阵列单元进行了光电响应的测试,得到明暗电流比约为60∶1.
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关键词
刻蚀
NH4CL
焦平面阵列
制作
背照式ZnO紫外焦平面成像阵列
原文传递
题名
背照式ZnO紫外焦平面成像阵列制作的刻蚀研究(英文)
1
作者
高群
张景文
侯洵
机构
西安交通大学电子科学与工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期2304-2306,共3页
文摘
研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm×25μm,对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析.刻蚀后阵列单元的剖面角约为80°.在刻蚀过程中,刻蚀深度和刻蚀时间呈线性关系.还研究了NH4Cl溶液浓度和刻蚀速率之间的关系.时刻蚀后的阵列单元进行了光电响应的测试,得到明暗电流比约为60∶1.
关键词
刻蚀
NH4CL
焦平面阵列
制作
背照式ZnO紫外焦平面成像阵列
Keywords
etching
NH4Cl
focal plane array
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
背照式ZnO紫外焦平面成像阵列制作的刻蚀研究(英文)
高群
张景文
侯洵
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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