导热高分子材料的研究与应用

介绍了金属材料、非金属材料、高分子材料的导热机理 ,以及导热填料搀杂高分子材料的导热理论模型。综述了各种高导热填料的研究进展和它们在导热高分子材料中的应用情况。最后提出了导热高分子材料的研究方向。

聚氯乙烯－丁腈橡胶复合弹性体电缆料的研究

以耐油型聚氯乙烯绝缘料、护套料为基料，以丁腈橡胶－２６为改性料，分别将改性料以不同的混合比例混入基料中，在不同的工艺条件下压制出经过改性的电缆料试样，并对其进行电气绝缘性能与机械物理性能测试．经过正交对比试验，提出了适用于弹性体电缆料的合理配方及工艺，并对该弹性体在其它领域内的应用提出建设性意见．

新型ZnO陶瓷线性电阻材料

本文研究了少量ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２等对ＺｎＯ陶瓷线性电阻材料晶粒生长速度和最终晶粒尺寸的影响规律，以及极微量掺杂Ｌｉ２Ｏ对晶粒和晶界电阻率的影响规律，实验表明，ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３，和ＺｒＯ２都能使ＺｎＯ陶瓷伏安特性线性化；在一定添加量范围内，ＭｇＯ的添加量不影响陶瓷线性电阻的电阻率，Ｌａ２Ｏ３和ＺｒＯ２的添加量都能有效地控制陶瓷线性电阻的电阻率；ＭｇＯ的添加量不影响ＺｎＯ陶瓷的晶粒生长速度，Ｌａ２Ｏ３和ＺｒＯ２降低晶粒生长速度。从杂质缺陷的生成、扩散及其对ＺｎＯ晶粒本征缺陷的影响作用等角度，分析讨论了添加剂对晶粒生长的影响规律，认为添加剂通过改变烧结过程中ＺｎＯ晶粒自由电子浓度，进而改变填隙锌离子浓度［Ｚｎｉ］，从而控制ＺｎＯ晶粒生长速度。

ZnO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性

本文研究了不同工艺条件制备的ＺｎＯ非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性，根据介电频谱和低温温谱，认为音频损耗机理是载流子跳跃传输，低温－１３８°Ｃ和－８７．５°Ｃ处的损耗机制是热离子极化．实验发现并理论推导了ＺｎＯ非欧姆陶瓷元件的阻性电流正比于其电容和压敏电压的乘积，这一关系可作为ＺｎＯ元件的质量控制手段．

烧结过程对氧化锌压敏陶瓷晶核形成和生长过程的影响

本文研究了烧结过程中升温速度及其温区对Ａ、Ｂ两类ＺｎＯ压敏陶瓷材料的晶粒尺寸和击穿场强的影响规律，发现加快４００～９５０℃段的升温速度，Ａ类试样的晶粒尺寸增大，击穿场强Ｅ＿１ｍＡ从６０Ｖ／ｍｍ下降到１５～３０Ｖ／ｍｍ；Ｂ类试样的晶粒尺寸变小，Ｅ１ｍＡ从２２０Ｖ／ｍｍ．Ｍ高到２９０Ｖ／ｍｍ．本文从晶核形成速度和晶粒生长速度与温度关系出发，对实验结果进行了分析讨论，认为配方体系决定晶核形成速度与温度的关系．在资料合适的情况下，在合适的温度范围内调整升温速度控制晶核密度，进而控制晶粒尺寸，并从理论上得出，压敏陶瓷的晶粒尺寸与升温速度的三次方根成正比，击穿场强Ｅ＿１ｍＡ＝Ｂ／ ，理论计算值与实验结果一致．