真空微电子平板显示器工艺研究

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持等还存在问题，文章最后分析了其原因。

真空微电子管的研究

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性。同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与理论结果进行了比较。

真空微电子器件的栅极制造技术

本文详细地介绍了真空微电子栅极工艺制造的自剥离与无版光刻技术，并用这两种方法分别制造出了符合要求的栅极结构．在现有的条件下进行了栅控场致发射特性的测试，并通过实验曲线计算出了栅控场致发射的三个参数．

SiC薄膜的场致发射实验研究

利用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）设备，在单晶Ｓｉ片上淀积出了一层ＳｉＣ薄膜．这种ＳｉＣ薄膜可以用作场致发射的阴极，该文报道了其场致发射的Ｉ～Ｖ特性测试结果．结果表明，该薄膜的场致发射具有Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ的指数形式，而其发射场强的阈值约为１Ｖ／μｍ．在测试出的Ｉ～Ｖ特性曲线上，发现了共振隧穿特征．

钴钝化多孔硅的制备及其场发射特性研究

采用化学染色腐蚀法在Co(NO3)2 和HF酸组成的腐蚀液中制备了钴钝化多孔硅,其表面形貌由垂直于表面分布的尺度为0.5~1.5μm 的硅尖组成,部分硅尖顶端还有0.1~0.5μm的圆形孔洞,硅尖的面密度约为1.0×108 个/cm2,多孔硅层厚度约为2μm。XPS分析结果表明,钴原子仅存在于多孔硅表面非常薄的一层内。其场发射具有较好的可靠性和可重复性,开启场强一般为2.3V/μm 左右,场强为5.4V/μm时,亮点均匀而且密集,发射电流密度达到30μA/cm2 左右。

用于谐振式传感器的微型双层薄板热挠曲的研究

本文对微机械中热胀系数不同的材料构成的双层复合薄板在均匀温升下的挠曲特性进行了研究 ,提出了在均匀温升下双层薄板热挠曲求解的能量法 ,并给出了小挠度下中心挠度与板厚的解析关系 ,为薄膜谐振式传感器温度特性的研究和新型温度传感器的设计与开发打下了基础 .

基于Morlet小波的滚动轴承故障信号奇异性分析

针对滚动轴承故障信号分析中单一频域表征的问题,提出了将Morlet连续小波变换应用于故障信号奇异性提取和分析的新方法。在分析了滚动轴承故障信号的奇异性特征和奇异性信号小波检测机理的基础上,将Morlet连续小波用于对滚动轴承故障信息的提取与分析。试验证明,该方案能有效地对滚动轴承故障信号在时间和尺度平面进行分析,可以同时表征奇异性信号的时间和频率信息。

FED制作工艺研究

本文介绍我们开发的FED工艺，包括：硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺，已经制成了平板数码管，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持、栅控特性及荧光的均匀性还存在问题，文章最后分析了其原因。

Morlet小波对于压缩机故障信号的研究

针对目前压缩机故障信号分析中存在的问题,提出了用Morlet连续小波对故障信号进行提取和识别。在停车情况下,对压缩机故障进行检查,验证了Morlet连续小波在故障信号提取和识别中的可行性和正确性。

硅基双层薄膜谐振器的数学模型及优化设计

研究了用工业ＩＣ技术和微细加工技术制造的硅基双层薄膜谐振器的工作机理，并建立了数学模型．对薄膜谐振效率、振幅及声产生效率与薄膜厚度、初始应力的关系进行了理论分析和计算，理论曲线与实验结果符合得很好．最后，给出了电热激励薄膜谐振器的优化设计方法．

Morlet小波对于压缩机故障信号的研究

针对目前压缩机故障信号分析中存在的问题,提出了用 Morlet 小波对故障信号进行提取和识别。Moorlet 小波是一种连续小波,能够克服时域离散造成故障信号遗漏及尺度二进离散分割过于粗糙的问题,能够使故障信号中的时域和频域信息同时在二维及三维空间上被更加直观的呈现出来。文末在停车情况下,对压缩机故障进行检查,验证了 Morlet 连续小波在故障信号提取和识别中的可行性和正确性。

正胶铬板图象反转技术的研究

本文阐术了在Ｓ－１４００正胶中加入适量咪唑，使正胶不仅具有原来特性，而且经一定工艺处理后还具有负胶的功能。在制造铬板时，用这种胶涂敷的铬板既可当正胶板用也可作负胶板用，即得到“正负两型”铬板。