辐射后淋巴细胞的G显带染色体畸变分析

目的:通过染色体G显带技术研究辐射后染色体的结构畸变情况。方法:4MV的X线辐射离体入血,淋巴细胞培养后,应用染色体G显带技术,分析辐射后染色体的结构畸变情况,包括双着丝粒、缺失、易位、环状染色体、染色体片段,等。结果:辐射后观察分散良好、形态清晰的细胞核型100个,染色体畸变总数为428,其中双着丝粒、缺失、易位、环状染色体、染色体片段的发生数分别为86、41、111、9、181。分析各号染色体辐射后畸变情况,未见明显差异。结论:染色体G带分析可以提供较丰富的染色体结构畸变信息。