在 JGP560 V磁控溅射镀膜设备上镀制多晶 Cu膜,选取沉积态和经过 3 h去应力退火的退火态两种 Cu膜,利用纳米压入技术测量了其室温下的蠕变性能。试验结果显示去应力退火后的 Cu 膜残余应力反而升高;且其室温蠕变性能与沉积态的 Cu 膜有...在 JGP560 V磁控溅射镀膜设备上镀制多晶 Cu膜,选取沉积态和经过 3 h去应力退火的退火态两种 Cu膜,利用纳米压入技术测量了其室温下的蠕变性能。试验结果显示去应力退火后的 Cu 膜残余应力反而升高;且其室温蠕变性能与沉积态的 Cu 膜有很大的不同;随保载载荷升高,两种状态下的 Cu 膜蠕变应力指数均升高。分析认为这是由于退火造成膜基体系内应力的变化,同时减少了薄膜中的各种点缺陷和线缺陷,从而改变了 Cu膜蠕变性能的结果。展开更多
文摘在 JGP560 V磁控溅射镀膜设备上镀制多晶 Cu膜,选取沉积态和经过 3 h去应力退火的退火态两种 Cu膜,利用纳米压入技术测量了其室温下的蠕变性能。试验结果显示去应力退火后的 Cu 膜残余应力反而升高;且其室温蠕变性能与沉积态的 Cu 膜有很大的不同;随保载载荷升高,两种状态下的 Cu 膜蠕变应力指数均升高。分析认为这是由于退火造成膜基体系内应力的变化,同时减少了薄膜中的各种点缺陷和线缺陷,从而改变了 Cu膜蠕变性能的结果。