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基于Internet的应用系统设计方法和技术分析
被引量:
12
1
作者
刘武奇
赵怀勋
《计算机系统应用》
1999年第9期11-14,共4页
本文介绍了基于Internet应用系统的结构和一般的设计方法,给出了构建Intranet应用系统的软、硬件组成和基本设计模式。着重分析了 ASP动态 Web设计技术的原理和功能,最后给出了实现系统的方法和开发工具。
关键词
企业
管理信息系统
应用系统
INTERNET网
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职称材料
半导体激光器加速寿命测试系统研制
被引量:
1
2
作者
亢俊健
张世英
+1 位作者
苏美开
王大成
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期228-230,254,共4页
介绍了半导体激光器 (LD)加速寿命测试的理论依据 ,给出了寿命测试的数学模型 ,并据此研制了新型LD寿命测试系统。该系统在密封抽真空充氮环境下 ,通过采集恒功工作LD的工作电流随时间变化的信息及所处环境的温度 ,绘制出LD的老化曲线 ...
介绍了半导体激光器 (LD)加速寿命测试的理论依据 ,给出了寿命测试的数学模型 ,并据此研制了新型LD寿命测试系统。该系统在密封抽真空充氮环境下 ,通过采集恒功工作LD的工作电流随时间变化的信息及所处环境的温度 ,绘制出LD的老化曲线 ,即恒功条件下的“I t曲线” ,然后推断LD的使用寿命。
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关键词
激光与光电子学
半导体激光器
加速寿命测试
Arrhenius模型
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职称材料
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
被引量:
6
3
作者
张林
张义门
+3 位作者
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期854-858,共5页
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源...
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
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关键词
4H—SiC
肖特基二极管
Γ射线
探测器
数值模拟
灵敏度
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职称材料
题名
基于Internet的应用系统设计方法和技术分析
被引量:
12
1
作者
刘武奇
赵怀勋
机构
西安武警工程学院通信系
出处
《计算机系统应用》
1999年第9期11-14,共4页
文摘
本文介绍了基于Internet应用系统的结构和一般的设计方法,给出了构建Intranet应用系统的软、硬件组成和基本设计模式。着重分析了 ASP动态 Web设计技术的原理和功能,最后给出了实现系统的方法和开发工具。
关键词
企业
管理信息系统
应用系统
INTERNET网
分类号
F207.7 [经济管理—国民经济]
TP393 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
半导体激光器加速寿命测试系统研制
被引量:
1
2
作者
亢俊健
张世英
苏美开
王大成
机构
石家庄经济
学院
光电技术研究所
西安武警工程学院通信系
北京理工大学光电
工程
系
交通部水运科学研究所
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期228-230,254,共4页
文摘
介绍了半导体激光器 (LD)加速寿命测试的理论依据 ,给出了寿命测试的数学模型 ,并据此研制了新型LD寿命测试系统。该系统在密封抽真空充氮环境下 ,通过采集恒功工作LD的工作电流随时间变化的信息及所处环境的温度 ,绘制出LD的老化曲线 ,即恒功条件下的“I t曲线” ,然后推断LD的使用寿命。
关键词
激光与光电子学
半导体激光器
加速寿命测试
Arrhenius模型
Keywords
laser and optoelectronics
semiconductor laser
accelerating lifetime testing
Arrhenius model
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
被引量:
6
3
作者
张林
张义门
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
机构
西安
电子科技大学微电子
学院
教育部宽禁带半导体材料重点实验室
西安武警工程学院通信系
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期854-858,共5页
基金
国家自然科学基金资助课题(60606022)
国防科技基础研究基金资助课题(513110501)
文摘
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
关键词
4H—SiC
肖特基二极管
Γ射线
探测器
数值模拟
灵敏度
Keywords
4H-SiC
Schottky diode
γ-ray
Detector
Numerical simulation
Sensitivity
分类号
O472 [理学—半导体物理]
TL816 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于Internet的应用系统设计方法和技术分析
刘武奇
赵怀勋
《计算机系统应用》
1999
12
下载PDF
职称材料
2
半导体激光器加速寿命测试系统研制
亢俊健
张世英
苏美开
王大成
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
下载PDF
职称材料
3
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
张林
张义门
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
6
下载PDF
职称材料
已选择
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