氧化铝表面二次电子发射抑制及其在微放电抑制中的应用

空间大功率微波器件中的二次电子倍增现象会诱发微放电效应,使得器件性能劣化或失效.针对加载氧化铝的同轴低通滤波器进行建模,并通过微放电阈值仿真验证了降低放电敏感表面的二次电子产额(SEY)可有效提升器件微放电阈值.针对器件中易于发生微放电的氧化铝表面,应用激光刻蚀制备表面微结构,获得孔隙比例为67.24%、平均深宽比例为1.57的微孔结构,氧化铝SEY峰值(δ_(m))由2.46降低至1.10.应用磁控溅射工艺研究氮化钛(TiN)薄膜低SEY特性,当N2与Ar流量比为7.5:15时,TiN薄膜δ_(m)低至1.19.在激光刻蚀微结构氧化铝表面镀覆TiN薄膜,实现表面SEY的剧烈降低,δ_(m)降至0.79.通过仿真电子束辐照氧化铝表面带电特性,分析了表面带电水平对SEY的影响规律,以及低SEY表面抑制微放电的物理机制.选取填充了纯度为99.5%氧化铝片的同轴滤波器进行验证,结果表明:微结构氧化铝表面镀覆TiN薄膜后,器件微放电阈值由125 W增加至650 W.研究对于介质填充微波器件微放电效应抑制机理分析具有重要科学意义,对于提高微波器件微放电阈值具有工程应用价值.

正弦振动试验参数及其数学描述

随着国家对国防事业的高度重视,电子元器件的可靠性也逐渐成为国防工程系统中的重要基石之一,无论在宇航还是军工,无论是航天器还是船舶载具,如何保证其在复杂振动环境下的可靠性,成为了各种电子元气件产品在设计之初时需要认真考虑的重要指标,从数学角度对正弦振动试验参数进行了推理和计算。对于正弦振动的核心参数及试验中的关键点以图文结合的方式从数学的角度进行解读,并举例说明了相关运动量之间的转化关系,使得试验人员对正弦振动了解的更加透彻,理解的更为深入。

非标转接器对测试同轴电缆组件准确性的影响

为准确测量非标接头电缆组件电压驻波比,降低非标测试转接器对电缆组件电压驻波比的影响。对非标转接器电压驻波比进行了理论计算并对其时域进行了分析,经过实际测量和应用,确定了非标测试转接器的挑选方法。