以校企支部共建为抓手,提升新时代集成电路专业人才培养质量的路径探索--以西安电子科技大学微电子学院为例

党建工作是高校育人工作的重要组成部分,更是基层党组织凝聚力、战斗力和吸引力的重要体现。为落实党建引领,深化校企融合,提升集成电路专业本科人才培养质量,本文以西安电子科技大学微电子学院本科教育教学师生联合党支部与创新性企业党组织结对共建为例,探索在校企产学协同育人项目申报与建设、校企联合训练项目开展、校企共办科协类俱乐部、校企共建合作课程四方面发力,着力提升集成电路专业人才培养质量的路径与方法。

校企协同下大学生创新创业教育模式探究——以西安电子科技大学与飞腾信息技术有限公司合作为例

在新时代发展理念的指导下,深化产教融合、产学研结合、校企合作是高等教育特别是应用型高等教育发展的必由之路。我国高等院校的教学改革不断深入,校企合作成为我国高等教育发展的重要战略之一。校企协同是我国现代高校教学改革、创新和发展的新方向,也是落实人才战略的有力举措,能够拓宽校企合作渠道,丰富校企合作内涵。以西安电子科技大学与飞腾信息技术有限公司产学合作育人项目为例,从“加强合作深度,优化资源共享;推进创新实践训练,提升学生应用能力;组织红色主题活动,开展筑梦之旅”等方面,结合案例进行有效分析,为大学生创新创业教育校企合作模式研究提供了理论与实践参考。

产教融合协同育人机制下的集成电路实验教学改革与实践——以西安电子科技大学为例

集成电路人才短缺是制约我国集成电路产业发展的主要因素之一,按照集成电路摩尔定律“每18个月翻一番”的技术更新速度,高校实验课程体系建设严重落后于产业技术发展速度,致使高校培养的人才难以满足行业的需求。基于集成电路专业卓越工程技术人才在国家战略发展中的重要作用,文章提出“一个目标、两个主体、四个抓手”的产教融合育人机制,以培养学生的创新实践能力为目标,以学校和企业为主体,以实验体系共建、实验课程共担、联合实验室共建、实训基地共享为主要抓手,全面提升集成电路专业卓越工程技术人才的培养质量,是解决目前集成电路专业实践教学与产业脱轨、培养卓越工程技术人才的有效手段。

重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响

采用^(181)Ta^(32+)重离子辐射AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,获得器件在重离子辐射前后的电学特性和低频噪声特性.重离子辐射导致器件的阈值电压正向漂移、最大饱和电流减小等电学参数的退化.微光显微测试发现辐射后器件热点数量明显增加,引入更多缺陷.随着辐射注量的增加,电流噪声功率谱密度逐渐增大,在注量为1×10^(10)ions/cm^(2)重离子辐射后,缺陷密度增大到3.19×10^(18)cm^(-3)·eV^(-1),不同栅压下的Hooge参数增大.通过漏极电流噪声归一化功率谱密度随偏置电压的变化分析,发现重离子辐射产生的缺陷会导致寄生串联电阻增大.

微电子类大学生创新创业教育服务支持体系的探索与实践——以西安电子科技大学创新创业教育支持体系为例

在集成电路新机遇和大发展环境下,西安电子科技大学微电子学院开展了一系列针对高校微电子类大学生创新创业教育服务支持体系的研究与实践,构建了“素质拓展层”“卓越提升层”“创业探索层”三层次服务支持体系。围绕学校创新创业服务支持体系,通过校企合作开展学科竞赛等途径,建立了以学生创新创业能力培养为核心的独具特色的院级大学生创新创业教育服务平台和模式,满足了不同类型大学生创新创业素质培养的需求,提高了创新创业教育服务水平。

国外微电子组装用导电胶的研究进展

介绍导电胶的组成、分类、较之于传统共晶锡铅焊料的优点以及导电胶的研究现状。重点阐述国外在导电胶导电机理研究、可靠性研究及新型高性能导电胶研制方面的现状和进展。

美国高校微电子类课程模式及其借鉴

课程是高等教育解决"如何保障人的培养"的核心保障资源,美国一流高校微电子类课程支撑了相关专业的通识教育,包括课程体系、课程内容、教学方法和课程实验,实践着该学科专业有效的专业教育,成就着一种使人持续发展的教育。美国众大学的共识共为以及从中美微电子类课程比较研究中值得我们借鉴的是:构建宽口径的专业课程体系、反映重融合的教学内容、体现研究型的教学方式以及实施强实践的课程实验。

微电子专业个性化人才培养模式的探究

创新是微电子学科的灵魂和生命力所在,如何为国家培养出具有雄厚的理论基础、宽广的系统知识、娴熟的实践技能和迅捷的自学能力人才,是目前本科人才培养面临的共同问题和使命担当。文章从个性化人才培养的目的诠释了个性化人才培养方案的基本方略,构建了具有微电子专业特色的个性化人才培养方案、课程体系与个性化人才培养模式。

微电子专业实验室的建设与探索

随着国内半导体产业的迅速发展,我国微电子方面的人才需求日益增大,建设高水平的微电子专业实验室可以有效提升微电子人才的工程实践能力和创新能力。结合我校的实际情况,分别从微电子专业实验室的建设意义、结构体系、人才队伍建设和实验室建设成果4个方面进行了探讨,旨在探索适合新时期实验室建设和实验教学的新思路。

微电子工艺实验中“动态,动手,动脑,动心”的“四动”教学模式探索

本文通过总结分析当前高等院校微电子工艺实验教学实践中存在的问题,针对性地提出了“动态,动手,动脑,动心”的“四动”教学模式。该模式以微电子行业的发展动态作为学生兴趣的驱动力,强化学生动手能力,激励学生动脑思考,穿插思政元素,激发学生爱国热情,构建自我对国家科技发展和建设的使命感和责任心,从而达到“动心”的目的,使学生在具有自我思考与认知的情况下大幅提升自身综合能力。

基于虚拟仪器的电子器件低频噪声测试分析系统

低频噪声已经作为一个重要的参量用于军用电子元器件的可靠性筛选和评估。介绍了一种基于虚拟仪器的电子器件低频噪声测试分析系统。与传统以通用仪器组建的噪声测试系统相比,不仅成本低,而且实现了电子器件低频噪声的实时、快速测量,并可对其各个表征参量进行准确的分析和提取。

掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究

采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小.

AuSn合金在电子封装中的应用及研究进展

AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装(CSP)等方面得到广泛的应用。从电子封装无铅化和合金焊料的可靠性等方面,对AuSn合金焊料的物相结构和材料性能进行了讨论,并对AuSn合金焊料在电子封装中的应用及其研究进展进行了总结和展望。

永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统

研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究。6英寸片内膜厚均匀性优于 95 % ,沉积速率高于 10 0nm/min ,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低。

GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理

提出了一种新型GaN异质结高电子迁移率晶体管在强电磁脉冲下的二维电热模型,模型引入材料固有的极化效应,高场下电子迁移率退化、载流子雪崩产生效应以及器件自热效应,分析了栅极注入强电磁脉冲情况下器件内部的瞬态响应,对其损伤机理和损伤阈值变化规律进行了研究.结果表明,器件内部温升速率呈现出"快速-缓慢-急剧"的趋势.当器件局部温度足够高时(2000 K),该位置热电子发射与温度升高形成正反馈,导致温度急剧升高直至烧毁.栅极靠近源端的柱面处是由于热积累最易发生熔融烧毁的部位,严重影响器件的特性和可靠性.随着脉宽的增加,损伤功率阈值迅速减小而损伤能量阈值逐渐增大.通过数据拟合得到脉宽τ与损伤功率阈值P和损伤能量阈值E的关系.

AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管

理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压的增强型HEMT器件.实验研究了三种GaN沟道厚度制作的增强型器件直流特性的差异,与模拟结果进行了对比验证.采用降低的F注入等离子体功率,减小了等离子体处理工艺对器件沟道迁移率的损伤,研制出的器件未经高温退火即实现了较高的跨导和饱和电流特性.对14 nm GaN沟道厚度的器件进行了阈值电压温度稳定性和栅泄漏电流的比较研究,并且分析了双异质结器件的漏致势垒降低效应.

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型

基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的Al0 .2 Ga0 .8N/GaNHEMT获得的最大漏电流为 1370mA/mm ;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率 .模拟结果同已有的测试结果较为吻合 ,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点 ,适于微波器件结构和电路设计 .

外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响

结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时间:信号幅度通过改变器件的吸收能量速度来影响器件的损伤效应,其与器件损伤时间成反比;信号上升时间的改变能够提前或延迟器件的击穿点,其与器件损伤时间成正比.器件外接电阻能够减弱器件的电流沟道,进而延缓器件的损伤进程,且源极外接电阻的影响更加明显.

AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响

根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用 ,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气 (2DEG)迁移率的散射模型 .计算了在不同沟道电子面密度下 ,界面态电荷密度与其所限制的迁移率之间的关系 .运用马德森定则分析了辐射感生界面态电荷散射对总迁移率的影响 .分析表明 ,辐射感生界面态电荷在累积到一定量后 ,会显著影响迁移率 ,一定程度上提高

电子回旋共振等离子体源的朗谬尔探针诊断

电子回旋共振 (ECR)等离子体以其密度高、工作气压低、均匀性好、参数易于控制等优点在超大规模集成电路工艺中获得了广泛的应用。利用朗谬尔探针对ECR等离子体进行了初步的诊断研究 ,测量了等离子体的单探针伏安特性并计算出电子温度 ,电子密度和等离子体电势等参量。实验证明 ,ECR等离子体源能够稳定地产生电子温度较低的高密度等离子体。