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一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现
被引量:
6
1
作者
刘晓轩
张玉明
+1 位作者
季轻舟
曹天骄
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期41-46,共6页
针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片...
针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片结果表明:在典型工艺角下,基准在-55℃~125℃内,温度系数为1.7×10-6~6.0×10-6/℃;在2.2V的电源幅度范围下,具有0.03mV/V的电源抑制特性。该电路已成功应用于一款线性稳压电源中。
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关键词
带隙基准
分段温度补偿
高阶温度特性
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职称材料
题名
一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现
被引量:
6
1
作者
刘晓轩
张玉明
季轻舟
曹天骄
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体技术国防重点学科实验室
西安微电子技术研究所
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期41-46,共6页
文摘
针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片结果表明:在典型工艺角下,基准在-55℃~125℃内,温度系数为1.7×10-6~6.0×10-6/℃;在2.2V的电源幅度范围下,具有0.03mV/V的电源抑制特性。该电路已成功应用于一款线性稳压电源中。
关键词
带隙基准
分段温度补偿
高阶温度特性
Keywords
bandgap reference
subsection temperature compensation
high-order temperature characteristic
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现
刘晓轩
张玉明
季轻舟
曹天骄
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
6
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职称材料
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