校企协同下大学生创新创业教育模式探究——以西安电子科技大学与飞腾信息技术有限公司合作为例

在新时代发展理念的指导下,深化产教融合、产学研结合、校企合作是高等教育特别是应用型高等教育发展的必由之路。我国高等院校的教学改革不断深入,校企合作成为我国高等教育发展的重要战略之一。校企协同是我国现代高校教学改革、创新和发展的新方向,也是落实人才战略的有力举措,能够拓宽校企合作渠道,丰富校企合作内涵。以西安电子科技大学与飞腾信息技术有限公司产学合作育人项目为例,从“加强合作深度,优化资源共享;推进创新实践训练,提升学生应用能力;组织红色主题活动,开展筑梦之旅”等方面,结合案例进行有效分析,为大学生创新创业教育校企合作模式研究提供了理论与实践参考。

产教融合协同育人机制下的集成电路实验教学改革与实践——以西安电子科技大学为例

集成电路人才短缺是制约我国集成电路产业发展的主要因素之一,按照集成电路摩尔定律“每18个月翻一番”的技术更新速度,高校实验课程体系建设严重落后于产业技术发展速度,致使高校培养的人才难以满足行业的需求。基于集成电路专业卓越工程技术人才在国家战略发展中的重要作用,文章提出“一个目标、两个主体、四个抓手”的产教融合育人机制,以培养学生的创新实践能力为目标,以学校和企业为主体,以实验体系共建、实验课程共担、联合实验室共建、实训基地共享为主要抓手,全面提升集成电路专业卓越工程技术人才的培养质量,是解决目前集成电路专业实践教学与产业脱轨、培养卓越工程技术人才的有效手段。

微电子类大学生创新创业教育服务支持体系的探索与实践——以西安电子科技大学创新创业教育支持体系为例

在集成电路新机遇和大发展环境下,西安电子科技大学微电子学院开展了一系列针对高校微电子类大学生创新创业教育服务支持体系的研究与实践,构建了“素质拓展层”“卓越提升层”“创业探索层”三层次服务支持体系。围绕学校创新创业服务支持体系,通过校企合作开展学科竞赛等途径,建立了以学生创新创业能力培养为核心的独具特色的院级大学生创新创业教育服务平台和模式,满足了不同类型大学生创新创业素质培养的需求,提高了创新创业教育服务水平。

重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响

采用^(181)Ta^(32+)重离子辐射AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,获得器件在重离子辐射前后的电学特性和低频噪声特性.重离子辐射导致器件的阈值电压正向漂移、最大饱和电流减小等电学参数的退化.微光显微测试发现辐射后器件热点数量明显增加,引入更多缺陷.随着辐射注量的增加,电流噪声功率谱密度逐渐增大,在注量为1×10^(10)ions/cm^(2)重离子辐射后,缺陷密度增大到3.19×10^(18)cm^(-3)·eV^(-1),不同栅压下的Hooge参数增大.通过漏极电流噪声归一化功率谱密度随偏置电压的变化分析,发现重离子辐射产生的缺陷会导致寄生串联电阻增大.

美国高校微电子类课程模式及其借鉴

课程是高等教育解决"如何保障人的培养"的核心保障资源,美国一流高校微电子类课程支撑了相关专业的通识教育,包括课程体系、课程内容、教学方法和课程实验,实践着该学科专业有效的专业教育,成就着一种使人持续发展的教育。美国众大学的共识共为以及从中美微电子类课程比较研究中值得我们借鉴的是:构建宽口径的专业课程体系、反映重融合的教学内容、体现研究型的教学方式以及实施强实践的课程实验。

微电子专业个性化人才培养模式的探究

创新是微电子学科的灵魂和生命力所在,如何为国家培养出具有雄厚的理论基础、宽广的系统知识、娴熟的实践技能和迅捷的自学能力人才,是目前本科人才培养面临的共同问题和使命担当。文章从个性化人才培养的目的诠释了个性化人才培养方案的基本方略,构建了具有微电子专业特色的个性化人才培养方案、课程体系与个性化人才培养模式。

微电子专业实验室的建设与探索

随着国内半导体产业的迅速发展,我国微电子方面的人才需求日益增大,建设高水平的微电子专业实验室可以有效提升微电子人才的工程实践能力和创新能力。结合我校的实际情况,分别从微电子专业实验室的建设意义、结构体系、人才队伍建设和实验室建设成果4个方面进行了探讨,旨在探索适合新时期实验室建设和实验教学的新思路。

微电子工艺实验中“动态,动手,动脑,动心”的“四动”教学模式探索

本文通过总结分析当前高等院校微电子工艺实验教学实践中存在的问题,针对性地提出了“动态,动手,动脑,动心”的“四动”教学模式。该模式以微电子行业的发展动态作为学生兴趣的驱动力,强化学生动手能力,激励学生动脑思考,穿插思政元素,激发学生爱国热情,构建自我对国家科技发展和建设的使命感和责任心,从而达到“动心”的目的,使学生在具有自我思考与认知的情况下大幅提升自身综合能力。

AuSn合金在电子封装中的应用及研究进展

AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装(CSP)等方面得到广泛的应用。从电子封装无铅化和合金焊料的可靠性等方面,对AuSn合金焊料的物相结构和材料性能进行了讨论,并对AuSn合金焊料在电子封装中的应用及其研究进展进行了总结和展望。

电子装备可靠性预计方法概述

对国际上常用的电子装备可靠性预计方法进行了分类,介绍了几种与多个工业领域相关的可靠性预计方法,对这些预计方法实现设定目标的能力进行了评估。各种可靠性预计方法的优缺点是在电子装备的研发过程中组合(同时或按一定的顺序依次)使用各种可靠性预计方法的依据。理解并掌握上述原则和方法,能够极大地提升我国电子装备领域的可靠性预计效率和准确度。

石墨烯/碳纳米管三维结构的电子输运特性

根据石墨烯有无碳源的实际生长方式,构建了4种石墨烯/碳纳米管T型复合三维结构采用结合密度泛函理论与非平衡格林函数的计算方法对这4种结构的电子输运特性进行了研究.首先在ATK软件中构建双探针模型并进行了结构优化,然后对这四种结构的透射图谱和电子态密度谱线进行了仿真分析.研究结果可为基于碳纳米材料三维互连线结构的相关研究提供参考.

电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响

采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化。辐照后未钝化器件的正反向栅电流有所增加,而且肖特基势垒高度随着辐照注量的增加而降低。几种结构HEMT器件的辐照结果表明,电子辐照后只有未钝化器件的特性有所退化,随着辐照注量增加,器件漏电流和跨导下降越明显,而且线性区退化大于饱和区,而阈值电压变化很小。分析表明,HEMT器件参数性能退化的主要原因是栅源和栅漏间隔区辐照感生表面态负电荷的产生。此外实验结果也说明Si N钝化、MOS结构和场板结构都是很好的抗辐照加固的手段。

掺硼锯齿型单壁碳纳米管的电子结构

为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构。采用密度泛函理论下的第一性原理计算,对不同掺杂浓度的最可能存在掺杂结构进行了计算,结果表明随着掺杂浓度的增加碳纳米管的能带间隙呈现增大的趋势。

试论电子信息类特色专业的内涵和特征

本文结合我国教育部、财政部近年来在高等教育领域实施的"质量工程",以电子信息类特色专业建设为选题,从多个视角分析了当前高校专业建设的现状、专业建设中存在的主要问题,进而论述了特色专业的基本特征,最后对电子信息类特色专业的内涵进行了相应的探究。

空位缺陷及Mg替位对纤锌矿(Ga,Mn)N电子结构和磁光性能的影响

采用自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似(GGA+U)平面波超软赝势方法,构建了未掺杂纤锌矿GaN超胞、三种不同有序占位Mn双掺GaN,(Mn,Mg)共掺杂GaN以及存在空位缺陷的Mn掺杂GaN超胞模型,分别对所有模型的能带结构、电子态密度、能量以及光学性质进行了计算.计算结果表明:与纯的GaN相比,Mn掺杂GaN体系的体积略有增大,掺杂体系居里温度能够达到室温以上;随着双掺杂Mn-Mn间距的增大,体系总能量和形成能升高、稳定性下降、掺杂越难;(Mn,Mg)共掺杂并不能有效增大掺杂体系磁矩,也不能达到提高掺杂体系居里温度的作用;Ga空位缺陷和N空位缺陷的存在不利于Mn掺杂GaN形成稳定的铁磁有序.此外,Mn离子的掺入在费米能级附近引入自旋极化杂质带,正是由于费米能级附近自旋极化杂质带中不同电子态间的跃迁,介电函数虚部在0.6868eV附近、光吸收谱在1.25eV附近分别出现了一个较强的新峰.

含反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质

基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究。SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷;这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米管表现出n型电导;导带顶到杂质能级间的跃迁使得纳米管的光学带隙呈现了减小的趋势。这些结果对碳化硅纳米管电子器件和光学器件的研究都有较重要的参考价值。

电子元器件与系统可靠性保障的PHM新方法

电子元器件与系统是各种设备和系统中不可或缺的部分,其可靠性是整机系统可靠性的决定性因素。为实现系统状态的实时监控,提供失效预警,避免灾难性故障的发生,阐述了故障预兆与健全管理(PHM)用于电子元器件与系统可靠性预测的原理与方法,详细分析了预兆单元法、失效征兆监控法和寿命损耗检测法可行性。

GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究

文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×10^(14),4×10^(14)和1×10^(15)protons/cm^2。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。Hall测试结果显示二维电子气(2DEG)浓度和迁移率在辐照后有所降低。

散粒噪声用于纳米电子器件与结构的量子效应表征

论述了纳米电子器件与结构中散粒噪声的产生机理和影响因素,表明散粒噪声与输运过程密切相关,按照噪声功率谱的幅值大小将散粒噪声分为泊松散粒噪声、亚泊松散粒噪声和超泊松散粒噪声四类。将散粒噪声的这些规律应用于纳米电子器件和结构,可表征不同器件与结构中的量子效应。利用散粒噪声已经成功检测到无序导线中的开放通道与量子点混沌腔中的波动性,测量出超导体与分数量子霍尔效应中的准粒子电荷。将散粒噪声用于检测纠缠态对量子计算具有重要的意义,自旋相干输运的检测是自旋电子学的重要研究课题。

掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究

在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.