期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
被引量:
6
1
作者
张林
张义门
+3 位作者
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期854-858,共5页
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源...
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
展开更多
关键词
4H—SiC
肖特基二极管
Γ射线
探测器
数值模拟
灵敏度
下载PDF
职称材料
异质结n^+多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备(英文)
2
作者
郭辉
冯倩
+2 位作者
汤晓燕
张义门
张玉明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期637-640,共4页
从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P+离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□.得到的n+多晶硅/n-SiC欧姆接触的比...
从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P+离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□.得到的n+多晶硅/n-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82×10-5Ω.cm2,接触下的注入层的方块电阻为4.9kΩ/□.对n+多晶硅/n-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论.
展开更多
关键词
欧姆接触
SiC
多晶硅
比接触电阻
P^+离子注入
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
被引量:
6
1
作者
张林
张义门
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
机构
西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室
西安
武警工程
学院
通信系
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期854-858,共5页
基金
国家自然科学基金资助课题(60606022)
国防科技基础研究基金资助课题(513110501)
文摘
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
关键词
4H—SiC
肖特基二极管
Γ射线
探测器
数值模拟
灵敏度
Keywords
4H-SiC
Schottky diode
γ-ray
Detector
Numerical simulation
Sensitivity
分类号
O472 [理学—半导体物理]
TL816 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
异质结n^+多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备(英文)
2
作者
郭辉
冯倩
汤晓燕
张义门
张玉明
机构
西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期637-640,共4页
基金
国家自然科学基金(批准号:60476007)
西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200704)资助项目~~
文摘
从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P+离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□.得到的n+多晶硅/n-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82×10-5Ω.cm2,接触下的注入层的方块电阻为4.9kΩ/□.对n+多晶硅/n-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论.
关键词
欧姆接触
SiC
多晶硅
比接触电阻
P^+离子注入
Keywords
ohmic contact
silicon carbide
polysilicon
specific contact resistance
P^+ ion implantation
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
张林
张义门
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
6
下载PDF
职称材料
2
异质结n^+多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备(英文)
郭辉
冯倩
汤晓燕
张义门
张玉明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部