一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源

基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路。在1V电源电压下,采用1μmCMOS工艺进行仿真,温度系数在-20～120℃范围内达到13×10-6,低频电源抑制比达到-90dB。