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基于反嵌套共源共栅米勒补偿的LDO设计 被引量：5
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作者 康瑞 代国定 +1 位作者 李沉沉 刘帅 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第11期20-23,共4页
基于反嵌套式共源共栅米勒补偿提出了单极点系统的无电容型LDO线性稳压器.该稳压器采用由反相增益级和反相可变增益级组成的可变增益缓冲器,可提高LDO的压摆率和负载瞬态变化时的稳定性.基于TSMC 0.25μm CMOS工艺,设计了一款2.5V200mA... 基于反嵌套式共源共栅米勒补偿提出了单极点系统的无电容型LDO线性稳压器.该稳压器采用由反相增益级和反相可变增益级组成的可变增益缓冲器,可提高LDO的压摆率和负载瞬态变化时的稳定性.基于TSMC 0.25μm CMOS工艺,设计了一款2.5V200mA的适合SoC应用的无电容型LDO,仿真结果表明其漏失电压为150mV,在1mA到200mA的负载电流范围内,该LDO在输出电容为0～1μF的范围内都能稳定,负载电流为200mA时,环路的最大相位裕度可达86°,最小相位裕度高达76°. 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 无电容型 反嵌套式共源共栅米勒补偿 可变增益缓冲器
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