巴基球的研究与开发

描述了巴基球研究开发的进展情况。

纳米科学技术与纳米陶瓷

主要描述纳米科学技术与其重要分支纳米陶瓷的发展.

超导电力开关

本文介绍了超导电力开关的基本原理、结构特点、材料特点、发展前景和目前高临界温度超导体与超导电力开关研究的关系。

高临界温度超导体究研的进展

对高临界温度超导薄膜,块状超导体以及其机制理论的研究进展作一评述,并就这一进展对电力传输系统的影响发表一些看法。

高温陶瓷与纳米陶瓷复合材料

描述了高温陶瓷基复合材料(CMC)研究开发的现状和技术应用的进展趋势;重点讨论了微米和纳米陶瓷基复合材料.

纳米科学技术中的陶瓷

本文主要描述了纳米科学技术中的陶瓷、高温陶瓷、复合陶瓷的崛起、发展。

超导整流器

1.前言液N_2温区高温超导体自从1987年问世,最近几年来得到突破性地发展,块超导体临界电流密度大幅度提高。Bi系2212(Bi_2Sr_2CaCuO_x)带在77K的液N_2温度和1T磁场下,临界电流密度J_c已到11000A/cm^2。在实验室,20K和20T的条件下,J_c可达15000A/cm^2。Y系123(YBa_2Cu_3O_(7-δ))试样在77K和5T条件下,可输运15000A/cm^2的电流密度。它的J_c-B特性曲线明确显示,在10T条件下,试样仍具有理想的临界电流密度。1991年经过更深入的研究使Bi系超导材料在4.2K,30T的条件下J_c达到2.2×10~5A/cm^2。Y系超导材料在4.2K,40T的条件下,J_c达到1×10~5A/cm^2。31K。

对35kV断路器现场切空线试验条件的评议

通过对我国35kV电网工况分析和国内外切空线(切空线为线路充电电流开断试验的简称)标准比较认为,35kV断路器以单相接地和重合闸方式进行现场切空线试验的条件过严,从技术经济角度看,此条件不宜作为考核断路器切空线性能的基础。

氧化锌避雷器与超导磁体的猝息保护

主要对超导磁体最新的一种猝息保护方法进行了进一步的研究,这种最新的保护方法就是用ZnO避雷器作为超导磁体外部的门电阻来取代通常传统的电阻器.这样一来,缩短了超导磁体的放电时间并减小了磁体内的热量耗散,为提高超导磁体的激磁速度奠定了基础.

用作低温温度传感器的片状陶瓷电容器

介绍了用在混合微波电路上的片状陶瓷电容器,作为低温温度传感器研究的一些情况.

快速熔断器的特性与应用

分析快速熔断器在半导体变流器中的电流特怀，说明选择综合性能优良的快速熔断顺对于变流设备的正常运行是至关重要的。

一种新型的电力半导体器件GTR(上)

一、GTR的发展历史及其国内外概况1948年美国Bell公司W.Shockly等人发明的点接触晶体管是世界上半导体器件发展历史上最重大的事件。四十年来,特别是近二十年来,随着理论研究的深入。

一种新型的电力半导体器件GTR(下)

五、GTR 的应用及应用技术以 GTR 为主要开关元件,已经组成直流变直流的斩波器,交流变交流的变频器和直流变交流的逆变器,当前十分活跃的是交流电机变频调速系统和直流电机斩波调速系统。在同样功率下,交流电动机比直流电动机体积小,重量轻,价格便宜,更加节能。过去,交流电动机调速困难,近年来。

电力电容器液体电介质的发展和思考

当代电力电容器的技术发展已进入一个崭新阶段。新一代电容器的主要特征是采用新的液体浸渍的全膜介质具有较低的损耗——是全纸电容器的1╱10;优良的局部放电性能——在允许使用环境温度范围内在1.2倍额定电压下保证局部放电的熄灭;体积小——是原来纸电容器的1╱5。

超导电力变压器

液N_2温区高临界温度超导体的发现和研制开发,促使人们对超导电力机械设备产生兴趣。本文主要对超导电力变压器研究中的一些问题及其处理情况进行描述,并以各种超导电力变压器的研宽实例说明其优越性。