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功率MOS管在半导体致冷技术中的应用
被引量:
2
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作者
冀捐灶
谢筑森
《电子技术应用》
北大核心
1999年第5期56-57,共2页
针对半导体致冷技术中可控硅电流换向器存在的问题,提出了利用新型现代电子器件功率场效应晶体管(MOSFET)实现H型功率开关电流换向器的方案,并给出了具体的电路图。
关键词
半导体致冷
功率电子器件
电子电流换向器
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职称材料
有效延长白炽灯寿命的研究
2
作者
冀捐灶
郦卫
《现代电子技术》
1999年第2期42-44,共3页
深入地分析了白炽灯使用寿命短的原因,给出了四种延长白炽灯使用寿命的简单而有效的方案和具体电路,实践证明效果良好。
关键词
白炽灯
电光型器件
正电阻特性
寿命
下载PDF
职称材料
MOSFET在半导体致冷技术中的应用
3
作者
冀捐灶
谢筑森
《电源技术应用》
1999年第2期34-,24,共2页
针对半导体致冷技术中GTO电流换向器存在的问题,提出了利用MOSEFT实现的H型功率开关电流换向器方案,并给出了具体的电路图。
关键词
半导体致冷
MOSEFT
H型功率开关换向器
下载PDF
职称材料
题名
功率MOS管在半导体致冷技术中的应用
被引量:
2
1
作者
冀捐灶
谢筑森
机构
西安空军工程学院电工教研室
出处
《电子技术应用》
北大核心
1999年第5期56-57,共2页
文摘
针对半导体致冷技术中可控硅电流换向器存在的问题,提出了利用新型现代电子器件功率场效应晶体管(MOSFET)实现H型功率开关电流换向器的方案,并给出了具体的电路图。
关键词
半导体致冷
功率电子器件
电子电流换向器
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TB66 [一般工业技术—制冷工程]
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职称材料
题名
有效延长白炽灯寿命的研究
2
作者
冀捐灶
郦卫
机构
西安空军工程学院电工教研室
出处
《现代电子技术》
1999年第2期42-44,共3页
文摘
深入地分析了白炽灯使用寿命短的原因,给出了四种延长白炽灯使用寿命的简单而有效的方案和具体电路,实践证明效果良好。
关键词
白炽灯
电光型器件
正电阻特性
寿命
Keywords
switch-device,electric light device, incandescent lamp, positive resistance characteristic
分类号
TM923.31 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
MOSFET在半导体致冷技术中的应用
3
作者
冀捐灶
谢筑森
机构
西安空军工程学院电工教研室
出处
《电源技术应用》
1999年第2期34-,24,共2页
文摘
针对半导体致冷技术中GTO电流换向器存在的问题,提出了利用MOSEFT实现的H型功率开关电流换向器方案,并给出了具体的电路图。
关键词
半导体致冷
MOSEFT
H型功率开关换向器
Keywords
Semiconductor refrigeration MOSFET H - bridge Current commutator
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
功率MOS管在半导体致冷技术中的应用
冀捐灶
谢筑森
《电子技术应用》
北大核心
1999
2
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职称材料
2
有效延长白炽灯寿命的研究
冀捐灶
郦卫
《现代电子技术》
1999
0
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职称材料
3
MOSFET在半导体致冷技术中的应用
冀捐灶
谢筑森
《电源技术应用》
1999
0
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职称材料
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