808nm半导体激光芯片电光转换效率的温度特性机理研究

提高808 nm大功率半导体激光器电光转换效率具有重要的学术意义和商业价值,是实现器件小型化、轻量化、高可靠性的必要前提.本文以腔长1.5 mm的传导冷却封装808 nm半导体激光阵列为研究对象,在热沉温度-40—25?C范围内对其进行光电特性测试,对不同温度下电光转换效率的影响因子进行了实验研究和理论分析.结果表明:在-40?C环境温度下,最高电光转换效率从室温25?C时的56.7%提高至66.8%,内量子效率高达96.3%,载流子泄漏损耗的占比贡献由16.6%下降至3.1%.该研究对实现808 nm高效率半导体激光芯片的自主研发具有重要意义.

高功率、高效率808nm半导体激光器阵列

通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm^(-1).制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平.

新时期我国地勘产业发展环境与趋势研究

我国经济由高速增长阶段转入高质量发展阶段,地勘产业要主动顺应落实"十四五"规划、全面建设社会主义现代化国家、生态文明建设、经济高质量发展、创新驱动战略的政策环境与发展战略方向,主动融入新发展格局,在为国家发展提供资源支撑、构建可持续的地勘经济发展模式、开展全生命周期的地质技术服务、推动地质科技与现代高新技术的融合升级等方面发挥更大作用,作出更大贡献。

808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研制

通过设计极低损耗808nm半导体激光芯片外延结构,实现腔内损耗小于0.5cm^(-1)。采用该高效率外延结构研制出高峰值功率808nm巴条芯片,巴条的填充因子为85%,包含60个发光点,发光区宽度为140μm,腔长为2mm。在驱动电流为500A,脉冲宽度为200μs,重复频率为400 Hz,占空比为8%的工作条件下,该芯片的准连续(QCW)峰值输出功率为613 W,斜率效率达1.34 W/A,峰值波长为807.46nm,光谱半峰全宽为2.88nm。任意选取5只芯片,在准连续300 W(占空比8%)条件下进行了寿命验证,芯片寿命达到3.63×109 shot,定功率300W下电流变化小于10%,达到商业化水平。

808nm/976nm高效率、高功率半导体激光芯片

高效率、高功率半导体激光器及其抽运的全固态激光器和光纤激光器是激光系统中的核心元器件，具有体积小、重量轻、输出功率高、性能稳定和寿命长等优点，广泛应用于医疗美容、先进制造、娱乐显示、激光抽运、安全防护等领域。高功率半导体激光芯片是整个激光产业链的基石与源头，是战略新兴产业的技术核心与瓶颈。目前国内中高端半导体激光芯片主要依赖进口，市场需求旺盛，因此开展高端半导体激光芯片自主研究具有十分重要的意义。

新形势下国有煤炭企业实施混合所有制改革探析

以股权结构与公司治理关系分析为基础,提出了在国有煤炭企业混合所有制改革中,通过优化股权结构建立有效制衡的法人治理结构的基本方式,并进一步研究了企业在混改中实施市场化选聘经理层成员和员工持股计划的基本方式,为国有煤炭企业实施混合所有制改革提供借鉴。

我国煤炭企业兼并重组的路径及对策思考

煤炭企业兼并重组是推进供给侧结构性改革、实现高质量发展的重要方式。在分析煤炭产业发展形势的基础上,阐述煤炭企业推进兼并重组的必要性,分析了煤炭企业实施兼并重组的基本路径,并提出煤炭企业在兼并重组过程中需要重点关注的问题。