分子模拟软件Materials studio在微电子专业课程中的应用

本文针对微电子专业学生普遍感觉量子力学、固体物理,半导体物理等课程抽象难学,教师感觉难教的情况,提出引入分子模拟软件Materials Studio进行辅助教学。

微电子学科的固体物理课程教学探索

针对固体物理学学科发展快、理论性强,以及微电子学专业的特点,本文就教学内容和教学方法两个方面进行了探讨,以期在微电子学科的固体物理教学中取得良好的效果,并对推动教学质量的提高和创新型人才的培养提供新的思路和方法。

腐蚀参数对SiC单晶材料位错腐蚀效果的影响

湿法腐蚀是缺陷表征的主要方法,腐蚀效果取决于腐蚀剂和腐蚀时间。然而碳化硅具有很强的化学稳定性,普通的腐蚀剂难以对SiC造成腐蚀,熔融的KOH可以很好地进行选择性腐蚀,因此位错选择性腐蚀的效果不仅受腐蚀时间的影响,还受腐蚀温度的影响。该文采用KOH作为腐蚀剂,通过改变腐蚀温度和时间研究腐蚀参数对SiC单晶材料中位错选择性腐蚀形貌的影响。结果表明,在温度为440°C和500°C时,改变腐蚀时间对位错选择性腐蚀形貌影响并不明显;而在腐蚀温度为470°C下,腐蚀形貌随时间变化出现三种不同特点,即10 min时欠腐蚀,20 min时过腐蚀,15 min时,可以得到理想的位错腐蚀形貌。

低位错密度的XRD无损表征研究

当半导体材料中位错密度大于107cm-2,难以用传统的腐蚀法进行测量时,可以利用高分辨X射线衍射(XRD)峰的半高宽估算材料中位错密度。该文利用该方法研究了位错密度小于107cm-2时是否适用的问题。结果表明,材料中位错密度较低(5.3×105cm-2)时,利用XRD测得的位错密度值与实际值存在3个数量级的偏差。分析认为,当晶体中位错密度较低时,参与衍射的晶面就越多,衍射峰就越窄,当位错加宽值与仪器精度接近时,就会产生较大偏差。因此在低密度位错时,利用XRD方法测量材料中位错密度时容易产生较大偏差。

“微波器件原理”课程教学中的感悟

微波器件原理是我校微电子学专业的一门选修课,它是对高年级学生知识能力的拓展和提高,旨在夯实学生的理论基础,同时希望学生在微波器件方向奠定扎实的基础知识,为以后的职业发展铺平道路。在课程教学过程中,我发现学生在学习过程中,对于基本理论问题的了解不够深入,新旧知识衔接能力较差,鉴于以上情况,我尝试通过案例、探讨的教学方式,科学公正的评价机制,改良纯理论堆砌和灌输式教学方法,提高学生学习积极性,进而改善课堂教学效果。