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题名事件相关电位对短暂性脑缺血发作患者认知功能的评估
被引量:1
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作者
董艳娟
王荫华
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机构
北京大学医学部第一附属医院神经内科
解放军北京军区总医院老年神经内科
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出处
《中国临床康复》
CSCD
北大核心
2005年第5期22-23,共2页
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文摘
目的:对短暂性脑缺血发作患者的事件相关电位进行研究,以发现短暂性脑缺血发作是否对患者的认知功能有影响。方法:2002-12/2003-12解放军北京军区总医院干部病房收治短暂性脑缺血发作患者28例,年龄42~81岁;年龄、性别及受教育程度匹配的对照组28例。应用经典的Oddball刺激模式,对所有受试者进行P300的测试。结果:病例组P300的潜伏期较对照组延长犤Fz:(363.6±39.2)ms,Cz:(355.0±41.5)ms,Pz:(357.0±42.0)ms,P<0.01犦,波幅降低犤Fz:(3.0±1.7)μV,Cz:(2.8±1.6)μV,Pz:(3.3±1.5)μV,P<0.05犦。结论:短暂性脑缺血发作对患者的认知功能是有一定影响的。
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关键词
脑缺血发作
短暂性
事件相关电位
P300
认知
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分类号
R743
[医药卫生—神经病学与精神病学]
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