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一种新型的高电源抑制比带隙基准源的设计
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作者 牛宗超 杨发顺 +2 位作者 吴宗桂 丁召 张正平 《贵州大学学报（自然科学版）》 2010年第2期59-61,69,共4页
利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明,在3 V电源电压下,在-40-85℃范围内,温度系数低于1.976 ppm/℃;在27℃... 利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明,在3 V电源电压下,在-40-85℃范围内,温度系数低于1.976 ppm/℃;在27℃下,1 KHz时,电源抑制比达88 dB. 展开更多
关键词 带隙基准源 温度系数 电源抑制 电压减法器 运放反馈
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