功率VDMOS器件的研究与发展

简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。

高压超结VDMOS结构设计

为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计,对器件的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真分析。最终设计了一个击穿电压为815V,比导通电阻为23mΩ.cm2的超结VDMOS。

高浓度激活剂掺杂钡镁铝酸盐的发光特性研究

采用高温固相反应法合成了Eu激活的BaMgAl10O17:Eu荧光粉,并对其发射特性进行了研究。当激活剂离子Eu浓度逐步增加时,在254 nm紫外以及147 nm真空紫外激发下,其发射强度和色坐标y值都体现出了相似的变化规律。在高激活剂离子浓度的BaMgAl10O17:Eu2+中存在激活剂离子浓度猝灭现象,同时也对高激活剂离子浓度条件下体系的相关系,以及其对发射特性的影响进行了分析。