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热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响 被引量：2
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作者 罗胜耘 谢泉 +8 位作者 张晋敏 肖清泉 金石声 朱林山 闫万珺 陈坤 罗娇莲 Koji Yamada Kiyoshi Miyake 《贵州大学学报（自然科学版）》 2006年第1期81-85,共5页
作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
关键词 环境半导体材料 Β-FESI2 IBD 退火温度
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