铅笔芯电化学剥离制备纳米石墨片及其电容性能研究

本文采用电化学法剥离了不同型号的铅笔芯(HB,2B,4B,6B,8B和10B),来制备纳米石墨片。利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察表面形貌和微观结构、X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)分析物相组成,在[Fe(CN)_(6)]^(3-/4-)溶液中测试了剥离材料的活性表面积。结果表明:不同型号铅笔芯剥离后均为片层状的纳米石墨片(GNS)。其中4B铅笔芯剥离的纳米石墨片(4B-GNS)的石墨化程度最高、活性表面积最大、电容性能最高,其比电容可达到140.3 F/g,且经过10000次循环充放电之后,比电容仍保持为原来的99.06%,表现出优异的循环稳定性。

片式合金箔电阻高精度加工技术的研究

为了实现片式合金箔电阻器阻值超高精度研制的目的,采用了电阻图形合理的设计与实现,并结合电阻图形高精度加工工艺的技术方法。该技术方法中引入独创的数字化调阻技术,并采用高精度刻蚀的手段进行工艺实现。结果表明,通过技术方法的实施,不仅有效提高了合金箔电阻器的精度等级,还提升了合金箔电阻器的自动化生产工艺水平。