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过渡金属(Ni)掺杂ZnV_(2)O_(4)的第一性原理计算
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作者 刘兴旺 罗姣莲 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第1期164-170,共7页
采用基于密度泛函理论下的MS软件模拟了过渡金属Ni掺杂ZnV_(2)O_(4)前后的能带结构、态密度以及光学性质.结果表明:ZnV_(2)O_(4)具有间接的光学跃迁且能带间隙为0.355 eV,Ni掺杂后能带间隙增加为0.785 eV,且带隙类型不变,引入的Ni-3d轨... 采用基于密度泛函理论下的MS软件模拟了过渡金属Ni掺杂ZnV_(2)O_(4)前后的能带结构、态密度以及光学性质.结果表明:ZnV_(2)O_(4)具有间接的光学跃迁且能带间隙为0.355 eV,Ni掺杂后能带间隙增加为0.785 eV,且带隙类型不变,引入的Ni-3d轨道电子对ZnV_(2)O_(4)的价带和导带组成提供了较大贡献.光学性质结果表明ZnV_(2)O_(4)为一种低介电材料,在可见光区的吸收系数和折射率较低,主要表现为紫外吸收.掺杂Ni后,在可见光区的吸收特性和光电导率均增大,有效改善了ZnV_(2)O_(4)在可见光区的光电性能. 展开更多
关键词 ZnV_(2)O_(4) 掺杂 第一性原理 过渡金属 电子结构 光学性质
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可见光响应的荧光增白剂基多功能光引发体系 被引量:4
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作者 左晓玲 吴翀 +6 位作者 黄安荣 罗姣莲 李竹玉 王梦 周颖 余洪钠 郭建兵 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期811-820,共10页
将4,4′-双(苯并噁唑-2-基)二苯乙烯(BBS)、7-二乙氨基-4-甲基香豆素(C 1)、双-(三嗪基氨基)-二苯乙烯二磺酸(CBUS 450)、4,4′-双(2-磺酸苯乙烯基钠)联苯(CBS X)和1,4-双(2-苯并噁唑基)萘(OB 7)等5种含有不同荧光发射基团的商用荧光增... 将4,4′-双(苯并噁唑-2-基)二苯乙烯(BBS)、7-二乙氨基-4-甲基香豆素(C 1)、双-(三嗪基氨基)-二苯乙烯二磺酸(CBUS 450)、4,4′-双(2-磺酸苯乙烯基钠)联苯(CBS X)和1,4-双(2-苯并噁唑基)萘(OB 7)等5种含有不同荧光发射基团的商用荧光增白剂分别与二苯基碘鎓六氟磷酸盐(IOD)组成二元光引发体系,再与N-乙烯基咔唑(或叔胺)组成三元光引发体系,在可见光发光二极管(LED)光源辐照下,通过自由基聚合反应制备丙烯酸酯树脂,同时通过阳离子/自由基同步聚合反应制备互穿网络聚合物.利用紫外-可见分光计荧光分光计,电子自旋共振波谱仪,傅里叶变换红外光谱仪,扫描电子显微镜和原子力显微镜对荧光增白剂和互穿网络聚合物进行了表征.研究结果表明,荧光增白剂在可见光LED的照射下可作为具有高效能的多功能光引发剂.其中苯并噁唑-萘衍生物(OB 7)、三嗪茋衍生物(CBUS 450)、二苯乙烯-联苯衍生物(CBS X)和香豆素衍生物(C 1)基二元光引发体系和三元光引发体系即使在空气中也表现出了优异的光引发能力. 展开更多
关键词 可见光发光二极管 荧光增白剂 互穿聚合物网络 自由基光聚合 阳离子/自由基同步光聚合
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P掺杂YVO_4电子结构和弹性性能的第一性原理研究 被引量:1
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作者 张晓明 罗姣莲 《原子与分子物理学报》 北大核心 2017年第4期763-768,共6页
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势平面波方法,在零压的条件下,建立了未掺杂以及P原子取代V原子的YVO_4与YV_(0.75)P_(0.25)O_4模型,然后对模型进行了电子结构和弹性性能的计算.计算结果表明:锆英石结构YVO_4与YV_(0.75)... 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势平面波方法,在零压的条件下,建立了未掺杂以及P原子取代V原子的YVO_4与YV_(0.75)P_(0.25)O_4模型,然后对模型进行了电子结构和弹性性能的计算.计算结果表明:锆英石结构YVO_4与YV_(0.75)P_(0.25)O_4在零压下是稳定的;YV_(0.75)P_(0.25)O_4属于延展性材料,具有大的弹性各项异性特征,YV_(0.75)P_(0.25)O_4的体积模量、剪切模量、杨氏模量分别为136.61 GPa、62.14 GPa、161.87 GPa,泊松比为0.303,研究结果表明P掺杂能减少YVO_4的体积模量,并且增大其剪切模量与杨氏模量. 展开更多
关键词 YVO4 YV0.75P0.25O4 电子结构 弹性常数 第一性原理
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Zn_3V_2O_8和Zn_2V_2O_7的电子结构与光学性能的第一性原理研究 被引量:2
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作者 张晓明 罗姣莲 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第5期839-844,共6页
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,在零压下建立了α-Zn_3V_2O_8和α-Zn_2V_2O_7晶体模型,分别对模型进行了电子结构和光学性质的计算.实验结果表明:α-Zn_3V_2O_8和α-Zn_2V_2O_7都属于间接带隙,α-Zn_3V_2O_8的... 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,在零压下建立了α-Zn_3V_2O_8和α-Zn_2V_2O_7晶体模型,分别对模型进行了电子结构和光学性质的计算.实验结果表明:α-Zn_3V_2O_8和α-Zn_2V_2O_7都属于间接带隙,α-Zn_3V_2O_8的禁带宽度为2. 715 eV,α-Zn_2V_2O_7的禁带宽度为2. 540 eV;同时,α-Zn_3V_2O_8和α-Zn_2V_2O_7都具有很强的紫外-近紫外光吸收能力;反射光谱、吸收光谱及能量损失谱的差异,共同导致Zn_3V_2O_8的光学性能要优异于Zn_2V_2O_7. 展开更多
关键词 α-Zn3V2O8 α-Zn2V2O7 电子结构 光学性质 第一性原理
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