基于分段自适应遗传算法的图像阈值分割

自适应遗传算法是一种有效的寻优算法,本文首先对自适应遗传算法进行改进,提出分段自适应遗传算法,达到了防止早熟,加快寻优速度的目的。阈值分割是一种经典的图像分割算法,本文将利用改进的自适应遗传算法(分段自适应遗传算法)对图像分割。本文算法以最大类间方差比作为适应度函数,通过最佳阈值进行寻优,以信息熵和最大方差比作为评价标准对图像分割进行比较,实验证明基于分段自适应遗传算法的图像阈值分割算法能够达到较好的分割效果。

Ga液滴在不同溶蚀时间下的形貌演变分析

采用分子束外延技术在Ga As缓冲层上沉积Ga液滴,探究溶蚀时间对Ga液滴形貌的影响。实验中溶蚀阶段的衬底温度为340℃,沉积6单原子层Ga液滴,在无As环境下分别溶蚀5、10和12. 5 min,待达到溶蚀时间后打开As阀,快速晶化Ga液滴。实验发现在低温、低沉积量的情况下,在溶蚀阶段Ga液滴并没有表现出在高温条件下的熟化现象而是进行一种原位的扩散。随着溶蚀时间的增加,液滴形貌逐渐由环盘结构向孔洞结构转变,内环的生长也表现出各向异性,倾向于沿[110]方向生长。随着溶蚀时间的延长内环的生长将集中于[110]方向的一边上,其高度明显高于其余三边。[110]方向上内环的高度差随溶蚀时间的增加而增加,但增速变缓。本文分析了这些现象的原因,并提出了Ga液滴在溶蚀阶段形貌演变的模型。

多周期InGaAs量子点点阵与点链形貌研究

通过分子束外延生长方法,在GaAs(001)衬底上制备生长12周期,16周期,20周期的InGaAs/GaAs量子点,分析了多周期生长的InGaAs/GaAs量子点在16周期下出现较好分布的机理。以及在生长16周期的InGaAs/GaAs量子点下,分析了未退火和退火的初始表面对于量子点分布的影响,未退火处理的衬底生长的InGaAs/GaAs量子点分布更加均匀且有序,量子链延伸得更长。

AlGaAs插入层对InAs/AlGaAs/GaAs量子点的尺寸分布影响

采用MBE系统,在GaAs(001)表面用S-K模式分别在原子级平坦的GaAs和AlGaAs/GaAs表面沉积3 ML的InAs量子点,利用STM研究了AlGaAs插入层对InAs/GaAs量子点尺寸分布的影响。研究发现,AlGaAs插入层会使InAs/GaAs量子点平均尺寸变小,而尺寸分布变得分散;采用不同的InAs沉积速率生长量子点,发现随着InAs沉积速率的加快,量子点平均尺寸变小,密度增大,尺寸分布更为集中。

基于抛物线拟合和边缘点搜索的虹膜精确定位

虹膜的定位包括瞳孔(内圆)和虹膜外圆的定位。该方法首先预判断瞳孔中心和半径截取目标区域小图,然后对目标区域提取边缘采用最小二乘抛物线拟合,算出左右固定区域内边缘点极值点坐标,得到瞳孔初始的中心坐标和半径。最后利用边缘点搜索方法精确定位虹膜。实验结果表明,该虹膜定位方法在速度和精度上都能达到较好效果。