侧面高阻釉对ZnO压敏防雷芯片电性能的影响

为了抑制压敏防雷芯片边缘低熔点元素在烧结过程中的挥发,在芯片侧面涂覆不同配方高阻釉,研究其对压敏防雷芯片电性能的影响。结果表明:涂覆了高阻釉的芯片组分均匀性得以提高、缺陷减少,样品的8/20μs大电流耐受能力提高;在1 000 mA工频电流作用下,芯片的熔穿点位于芯片中部铜电极区,利于热脱离机构动作,从而提高芯片的暂态过电压耐受能力。

浅析限压型SPD起火与MOV工频击穿点的关系

SPD在遇上较高的故障过电压后,MOV熔穿不可避免,但熔穿后短路并不是通常理解的零阻抗短路,热态下,它仍有数欧至数十欧的阻值,其短路电流极少能达到100 A以上,这使得用作SPD前端保护的空开很可能不跳断,从而造成SPD起火并持续燃烧。避免SPD起火燃烧的关键在于保证击穿喷火的热量能快速传导至热脱扣焊点熔化低熔点合金,使热脱扣动作脱离。这既涉及到SPD的热脱扣设计是否合理,也涉及到MOV的工频耐受能力及其击穿点区域的控制技术。

ZnO压敏电阻的并联结构对通流能力的影响

为了提高电涌保护器中压敏电阻的耐电流冲击性能,生产上均采取压敏电阻的并联组合。在测试过程中发现,论文中的两种并联结构其8/20μs通流容量相差约20%。对并联组合后的压敏电阻劣化原因进行了分析,认为非对称并联结构的电流不均匀,其中一只压敏电阻承受的电流过大,导致性能迅速劣化、失效。通过加大电极片、连接片的宽度,降低阻抗,减小电流值的偏差,同时采用不同通流容量的压敏电阻进行配对并联,从而提高非对称并联结构的通流容量。