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题名窄脉冲发生电路设计及仿真
被引量:1
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作者
张琦
王兴权
钟握军
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机构
赣南师范学院物理与电子信息学院光电子材料与技术研究所
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出处
《电子技术与软件工程》
2014年第16期158-160,共3页
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基金
赣南师范学院招标课题(14zb18)资助项目
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文摘
脉冲技术在电力系统中的高压绝缘监测、激光技术、微波技术和电磁兼容性等试验方面都有很广泛的实际应用。本文采用单稳态电路和或非门(74LS02)组成的积分电路设计了窄脉冲发生电路,并利用multisim软件进行了仿真分析。结果表明,基于或非门组成的积分电路,将RC积分性质和或非门的逻辑功能巧妙结合在一起实现了ns级窄脉冲输出,得到的脉宽可达10ns左右而电压幅值保持为5V。
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关键词
窄脉冲
RC
积分
或非门
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分类号
TN782
[电子电信—电路与系统]
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题名一维磁流体掺杂光子晶体缺陷模的磁控可调特性
被引量:4
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作者
郝丽丽
谢应茂
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机构
赣南师范学院物理与电子信息学院光电子材料与技术研究所
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出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期347-351,共5页
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基金
江西省教育厅科技项目(GJJ13660)
江西省研究生创新专项基金项目(YC2013-S262)
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文摘
磁流体的有效介电常数ε_(liq)与磁性粒子体积分数P和外加磁场因子α_‖有关。计算了水基MnFe_2O_4磁流体的有效折射率随纳米磁性粒子体积分数P和外加磁场强度因子α_‖的变化关系,发现通过调节α_‖的大小可实现不同纳米磁性粒子体积分数的磁流体具有相同的有效折射率。应用传输矩阵法,数值模拟了水基MnFe_2O_4磁流体中P为0.745时结构为(AB)~8C(BA)~8的一维磁流体掺杂光子晶体的透射谱。结果表明:缺陷模磁流体n_c的增大出现红移现象,即缺陷模中心波长随n_c的增大而变长,最大改变量为36.6 nm。讨论了缺陷模品质因子Q,发现缺陷模半峰值带宽不变,Q与缺陷模波长随n_c的变化具有相同的线性变化特性,即Q随有效折射率的增大而增大。
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关键词
光电子学
磁流体光子晶体
传输矩阵法
缺陷模
品质因子
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Keywords
optoelectronics
nanoparticle magnetic fluid photonic crystals
transfer matrix method
defect mode
quality factor
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分类号
O734
[理学—晶体学]
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