Al和C共掺对MgB2超导电性的影响

研究了在MgB2超导体中,Al、C以及这两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度、不可逆场、以及临界电流的影响。研究发现,当掺杂电子量相同时,Al掺杂比C掺杂对超导电性有更强的抑制作用。当Al、C共掺时,对于相同的掺C量,Al的掺杂作用减缓C掺杂对Tc的抑制作用。同时C掺杂可以有效的提高MgB2超导体在高场下的临界电流密度,Al,C共掺和单独掺C的两组样品中掺C都有相似的行为特性。

BaPb0.75Bi0.25O3超导体的制备及其性能

采用熔盐法、溶胶—凝胶法、高温高压法及固相反应法4种方法制备出BaPb0.75Bi0.25O3(BPBO)超导体,并对其晶体结构、形貌及超导电性进行了测试和分析。由于熔盐法首次被用来制备BPBO超导体,因此着重研究了熔盐法的制备特点以及所得样品的物理性质,并与另外3种制备方法进行比较。X射线粉末衍射结果表明,用4种方法制得的样品都有很好的单相性,无杂相,晶体结构属四方晶系。磁性测量结果显示其超导转变温度都在11.6K。

高压与常压下合成Mg1.05-x(HgO)xB2的性能研究

分别在常压和高压下利用固相反应法制备了Mg1.05-x(HgO)xB2多晶样品,并研究了HgO掺杂对MgB2样品性能的影响。在两种不同的反应条件下制备的样品,超导转变温度随掺杂量的增大都有一定幅度的下降,但晶体结构和临界电流密度(Jc)则有显著的不同。常压下HgO掺杂可使Jc降低,而高压下一定量的掺杂则使Jc增大。由扫描电镜结果分析可得,高压下制备的样品晶粒间联系紧密,尺寸较小,从而使其临界电流密度、不可逆场和钉扎力等性能都优于常压下制备的样品。

La1-x/2Pr1-x/2SrxCuO4＋y的正常态电阻反常与超导电性

La1-x/2Pr1-x/2SrxCuOy(LPSCO)多晶样品采用传统的固相反应法制备。X射线衍射表明:LPSCO具有典型的空穴搀杂的T-214相的结构。磁化率测量显示:Sr掺杂在0.05≤x≤0.30范围内具有超导转变;Tc随x的增大呈抛物线形式变化,且在x=0.18时达到最大值28K。电阻的测量显示:随掺杂量的增大,系统呈现从绝缘到半导体,最后到金属的导电行为的变化;在欠掺杂区,正常态电阻温度关系符合ρ(T)=ρ0+αT-ClnT;而在过掺杂区,对数项消失。本文从替代所引起的晶体结构和载流子特性变化解释了Sr掺杂样品的输运行为和超导特性。

采用一种新的扩散法制备实用化的MgB2超导体

利用一种新的Mg扩散方法,在常压下成功制备出致密的MgB2超导块材,样品密度最高达1.95g/cm3。结果表明:加热到900℃保温24h后炉冷,所得到的样品性能最佳。该样品在50Oe的外场下,超导转变温度(Tc)为38.1K,转变宽度仅0.9K;10K,20K,自场下临界电流密度(Jc)值分别达0.53,0.37MA/cm2。此外,通过添加少量纳米Pr6O11或者石墨,都能使MgB2的实用化性能得到显著改进。

小型NbTi磁体的失超传播特性研究

针对小型实验NbTi超导磁体,通过建立螺线管线圈正常态区域传播的数学模型来定性描述其三维传播特性,并就磁体失超的实验波形做深入分析,阐述绕组匝间及层间的热传导效应对磁体失超传播速度的影响,掌握实验磁体失超过程中的内阻变化曲线,为磁体的失超信号检测与保护奠定良好的理论基础。

基于EXB841的IGBT驱动电路设计

电力电子器件中,IGBT的综合性能方面占有明显优势,并广泛地运用在各类电力变换装置中。然而如何有效地驱动并保护IGBT,成为电力电子领域中的重要研究课题之一。设计了基于EXB841的驱动电路,结合实际运行过程中出现的故障,不断调整电路,最终完善了IGBT的驱动与保护性能,具有很好的实用性。

铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La0.7Sr0.3MnO3掺杂的ZnO陶瓷.晶界处存在La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)和LaMnO3(LMO)两种杂相.样品中绝缘相LMO的含量显著影响着样品的电学性能.掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性.在样品上施加磁场后,样品电阻值增加,表现为正磁电阻性质.正磁电阻的出现,是由于磁场的存在增加了晶界处势垒的高度造成的.结果表明磁场可以改变多晶陶瓷样品中晶界处势垒的性质,从而改变样品的电输运特性.