湿法刻蚀条件对TFT中Cu电极坡度角和均一性的影响及工艺参数优化

目的 在高世代薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)产线的栅极刻蚀制程,明确大气压等离子体(Atmosphere Pressure Plasma,APP)清洗功率、清洗时间及刻蚀时间对刻蚀性能(关键尺寸偏差、均一性、坡度角)的影响规律,并获得最佳工艺条件,进而提升良率。方法 以APP清洗功率、清洗时间和刻蚀时间为影响因素,以关键尺寸偏差(CD Bias)、均一性、坡度角作为因变量,开展正交试验,明确因素影响重要性顺序;然后,对Cu电极坡度角的形成和刻蚀均一性变化进行分析;最后,采用回归分析获得刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式。结果 结果表明:刻蚀时间对刻蚀性能的影响最大,对APP清洁时间和功率的影响较小。刻蚀时间延长,关键尺寸偏差(CD Bias)增加、均一性变差、坡度角变大。为改善均一性和平缓坡度角,应缩短刻蚀时间。最佳工艺组合为:刻蚀时间85 s,APP电压9 kV,APP传输速度5 400 r/min。结论 刻蚀时间延长,未被光刻胶覆盖的Cu膜层被完全刻蚀,形成台阶,该台阶使刻蚀液形成回流路径。沿着回流路径,刻蚀液浓度、温度逐渐下降,刻蚀均一性由此恶化,坡度角因此增加。采用回归分析得到的刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式,为预测刻蚀效果和优选刻蚀时间提供了依据。

向列相溶致液晶旋转黏度研究

溶致液晶具有良好的生物相容性、无毒性、生物降解性以及光学、电磁学各向异性等,在细胞相互作用、神经刺激传递、脂肪吸收、药物智能输运等生命活动研究、医药工程和液晶显示等领域有广泛应用.本文采用旋转磁场法测得溶致液晶日落黄在不同温度和溶液浓度下向列相时旋转黏度,并结合溶致液晶分子自组装过程,理论分析了溶致液晶向列相旋转黏度随温度和溶液浓度的变化规律.研究结果表明:溶致液晶旋转黏度与液晶分子自组装柱状体平均长度的平方呈正比增大关系,随溶液浓度的增大而增大,随温度的升高表现出指数减小的规律.构建了与向列相溶致液晶温度和浓度相关的旋转黏度经验表达式,经验表达式计算结果与实验值吻合较好,最大误差仅为18.56%.提出采用旋转流变仪间接获得溶致液晶剪切能的新方法,溶致液晶剪切能随溶液浓度的增大而增大,但在实验温度范围内,溶致液晶剪切能几乎不随温度而改变.利用旋转流变仪间接获得的溶致液晶剪切能与报道的利用X-Ray检测所得的结果之间最大误差仅为3%.成功地利用了液晶分子自组装能力随温度的变化规律来研究柱状体长径比对旋转黏度的影响规律,创新地提出了“一步法”测量研究,大大减少相关实验研究的成本和复杂性.

AZ31镁合金上有机阴离子ASP插层的MgAl-LDH和ZnAl-LDH膜耐蚀性的比较

使用一步简单水热法分别制备天冬氨酸(ASP)插层的ZnAl层状双氢氧化物(ZnAl-LDH)和MgAl-LDH涂层。对所制备的两种涂层的形貌、成分、结构和耐蚀性进行比较研究。结果表明,均匀且致密的层状纳米片(NS)在基底上垂直生长,并且MgAl−ASP-LDH涂层表现出高孔隙覆盖率的三维(3D)玫瑰型片状结构。浸泡测试中,MgAl−ASP-LDH涂层展示出比ZnAl−ASP-LDH涂层更优异的耐久性和耐腐蚀性。ZnAl−ASP-LDH和MgAl−ASP-LDH涂层的腐蚀电流密度比Mg合金基底的低2~3个数量级,这表明插入有机ASP阴离子的ZnAl/MgAl-LDH膜可以显著提高镁合金的耐腐蚀性。

面包的吸声性能

多孔材料因其优异的吸声性能在声学领域有深入的研究和广泛的应用。面包作为一种典型的多孔材料,其声学性能少有人关注。本文探究了面包制备工艺的对其声学性能的影响规律。本文主要通过研究酵母菌用量,发酵时间,厚度,面水比例,面筋强度的不同来探究对其吸声效率的影响。实验结果表明:实验用量酵母菌4g,发酵时间40min为宜,在此条件上,增加厚度,面水比例,面筋强度可以进一步增强吸收率,增强面包品质。

大尺寸高端显示器件用薄膜晶体管Al–Mo复合电极坡度的形成过程与可控调节

栅极坡度角(PA)对薄膜晶体管(TFT)性能和良率具有重要影响,如何将坡度角调节到合适的范围是TFT量产中关键技术之一.本文以大尺寸高端显示器件用a-Si TFT的Al/Mo、Mo/Al/Mo电极在磷酸系溶液下刻蚀得到的坡度角为研究对象,探究了膜层结构、Mo厚度、刻蚀时间对坡度角的影响.结果表明:在Al/Mo结构中,随着顶Mo厚度增加,Al与光刻胶之间的间隙增加,刻蚀液更易侵入,侧向刻蚀增强,坡度角减小;在Mo/Al/Mo三层电极结构中,随着底Mo厚度增加,底Mo和中间临近的Al侧壁发生电偶腐蚀,Al侧壁上形成氧化物钝化层,Al刻蚀速率减慢,坡度角变小.水池效应将导致刻蚀液残留在电极底部,阻碍新鲜刻蚀液与底部接触,底部刻蚀速率低于顶部;故当刻蚀时间延长时,底部和顶部刻蚀速率差进一步增大,导致坡度角减小.得到了Mo/Al/Mo坡度角与顶Mo和底Mo厚度回归方程,为调节坡度角和优选Mo厚度提供了依据.此电极坡度角的调节技术可为确保TFT的良率和性能提供参考.