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1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究
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作者 刘兴辉 刘通 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期478-481,共4页
分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(... 分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(1/2)(2kHz频率点),比设计指标4.0μV/(Hz)^(1/2)低一个数量级。 展开更多
关键词 齐纳二极管 噪声 表面钝化 凸点电镀 保护环
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ZnO基透明导电薄膜制备方法研究进展 被引量:4
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作者 谭天亚 江雪 +4 位作者 崔春阳 李春梅 徐广文 吴炜 郭永新 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第4期334-338,共5页
ZnO基透明导电薄膜与掺锡氧化铟薄膜(ITO)相比,不仅性能与其相似,还具有ITO很多无法比拟的优点.因此,制备ZnO基透明导电薄膜成为当今研究热点.综述了ZnO基透明导电薄膜制备方法的研究进展,并对各自的优缺点进行了讨论.
关键词 透明导电薄膜 ZNO 制备方法 电阻率 透射率
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超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究 被引量:3
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作者 谭天亚 李春梅 +3 位作者 苏宇 徐广文 吴炜 郭永新 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期47-52,共6页
利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从... 利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从分散生长逐渐过渡到分形生长的过程,并且在较低温度(200K)下,随入射粒子剩余能量的增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程.进一步研究证明,随着基底温度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉积粒子的扩散能力显著增强,从而使岛的形貌发生了改变. 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 薄膜生长 基底温度 入射粒子剩余能量
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傅里叶变换的多光子关联成像理论的研究 被引量:2
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作者 吴炜 刘骞 +3 位作者 唐丽娜 朱波 刘忠菊 吴闯 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第3期193-196,共4页
首次从理论上提出了利用非相干光场(经典热光场)在无透镜的情况下,得出高阶干涉光的三阶关联函数解析式,并证明了非相干光场通过傅里叶变换,完全能够实现多光子的关联成像.
关键词 非相干光 三光子关联成像 傅里叶变换 鬼成像 高阶关联函数
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不同晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究 被引量:1
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作者 谭天亚 李春梅 +3 位作者 苏宇 张静 吴炜 郭永新 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期343-348,共6页
利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了四方和六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明,基底晶格结构对薄膜生长具有明... 利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了四方和六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明,基底晶格结构对薄膜生长具有明显影响.当基底温度为300K、入射粒子剩余能量为0时,四方晶格基底上薄膜的生长已经呈现明显的凝聚生长,随着基底温度或入射粒子剩余能量的增加,岛的数目变少、岛的平均尺寸变大.对于六方晶格基底,当入射粒子剩余能量为0、温度从300K升高到350K时,岛的形貌从分散生长向分形生长转变;当基底温度为300K、入射粒子剩余射能量从0上升到0.05eV时,岛由分散生长向分形生长转变. 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 薄膜生长 晶格 基底温度 入射粒子剩余能量
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六方晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究 被引量:1
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作者 谭天亚 陈俊杰 +3 位作者 江雪 李春梅 苏宇 吴炜 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期188-192,共5页
利用Monte Carlo(MC)方法,模拟研究了六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与薄膜覆盖度以及入射粒子沉积速率之间的关系.结果表明在基底温度为300K时,岛的形貌主要表现为分形生长,随着薄膜覆盖度的增加,岛的分形枝簇变... 利用Monte Carlo(MC)方法,模拟研究了六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与薄膜覆盖度以及入射粒子沉积速率之间的关系.结果表明在基底温度为300K时,岛的形貌主要表现为分形生长,随着薄膜覆盖度的增加,岛的分形枝簇变大,岛的数目不断减少.在同样的温度下,随着入射粒子沉积速率的增大,薄膜表面的形貌逐步由少数聚集型岛核分布状态向众多各自独立的离散型岛核分布状态过渡.进一步研究得出,薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率对粒子扩散能力的影响最终导致岛的形貌发生了改变. 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 薄膜生长 薄膜覆盖度 沉积速率
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基底显微结构对薄膜生长影响的Monte Carlo模拟研究 被引量:1
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作者 谭天亚 李春梅 +1 位作者 吴炜 郭永新 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期903-908,共6页
利用Monte Carlo方法研究了基底显微结构对薄膜生长的影响.对不同显微结构基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和尺寸与薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率之间的关系进行了模拟和分析.模型中考虑了粒子沉积、吸附粒子扩散和蒸发等过程.结果表... 利用Monte Carlo方法研究了基底显微结构对薄膜生长的影响.对不同显微结构基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和尺寸与薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率之间的关系进行了模拟和分析.模型中考虑了粒子沉积、吸附粒子扩散和蒸发等过程.结果表明,基底显微结构对薄膜生长具有明显影响.当沉积温度为300 K、沉积速率为0.005 ML/s(Mono1ayer/second,简称ML/s)、覆盖度为0.05 ML时,四方基底上薄膜生长呈现凝聚生长.随着覆盖度增加,岛的尺寸变大,岛的数目减少.而对于六方基底,当覆盖度从0.05 ML变化到0.25 ML时,薄膜生长经历了一个从分散生长过渡到分形生长的过程.无论是四方还是六方基底,随着沉积速率的增加,岛的形貌由少数聚集型岛核分布状态向众多各自独立的离散型岛核分布状态过渡. 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 薄膜生长 基底显微结构 薄膜覆盖度 入射粒子沉积速率
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Zn缺陷对ZnO薄膜光学特性的影响 被引量:1
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作者 谭天亚 陈俊杰 +3 位作者 单晶 江雪 吴炜 郭永新 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2009年第1期6-8,共3页
采用射频磁控溅射方法在熔石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的X射线衍射(XRD)分析表明样品具有较好的结晶性和良好的c轴取向.光致发光(PL)性能分析发现,分别在398 nm和470 nm波长出现了较强的发光峰,与ZnO薄膜通常的发光峰位置明显不同... 采用射频磁控溅射方法在熔石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的X射线衍射(XRD)分析表明样品具有较好的结晶性和良好的c轴取向.光致发光(PL)性能分析发现,分别在398 nm和470 nm波长出现了较强的发光峰,与ZnO薄膜通常的发光峰位置明显不同.通过分析表明,398 nm波长的发光峰是由于导带电子跃迁到Zn空位引起,470 nm波长的发光峰是由于间隙Zn电子跃迁到Zn空位上而产生. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 光致发光 Zn缺陷
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基于C8051f040的CAN与SMBus协议适配器 被引量:1
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作者 刘兴辉 胡深明 王璐 《电子器件》 CAS 2008年第6期1921-1925,共5页
设计了一种基于高性能C8051f040单片机的CAN与SMBus协议适配器系统。介绍了C8051f040单片机内部CAN控制器与SMBus协议的特点及适配器的工作原理,并给出了软硬件的设计思想和具体实现方法。实际测试表明:上位机通过该适配器系统与焊机进... 设计了一种基于高性能C8051f040单片机的CAN与SMBus协议适配器系统。介绍了C8051f040单片机内部CAN控制器与SMBus协议的特点及适配器的工作原理,并给出了软硬件的设计思想和具体实现方法。实际测试表明:上位机通过该适配器系统与焊机进行数据通信,对数据进行处理,很好地实现了对汽车生产线焊机智能控制的目的。该系统具有抗干扰性好,工作效率高,使用方便等优点。 展开更多
关键词 C8051F040单片机 适配器 CAN总线 SMBUS
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单模压缩奇偶相干态的四次方压缩特性
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作者 张静 慕春波 +3 位作者 张明 刘洪雨 吴炜 谭天亚 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2009年第3期201-204,共4页
用单模压缩算子作用在单模奇偶相干态上即可得到单模压缩奇偶相干态.本文研究了这类量子态的四次方压缩特性,结果表明单模压缩奇偶相干态存在很强的四次方压缩特性,并且压缩程度随着压缩参量r的增大而增强.
关键词 单模压缩奇偶相干态 高阶压缩特性 四次方压缩效应
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纳米微晶结构氧化锌中激子发光的研究进展 被引量:4
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作者 谭天亚 陈俊杰 江雪 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2008年第9期25-30,共6页
由于ZnO具有大的激子束缚能,有利于在室温下获得高效稳定的紫外辐射。因此,对ZnO激子发光的研究极有希望解决半导体照明、紫外半导体激光器等多种技术面临的瓶颈问题。综述了ZnO中激子的典型光致发光谱、激子的结构及复合发光过程。重... 由于ZnO具有大的激子束缚能,有利于在室温下获得高效稳定的紫外辐射。因此,对ZnO激子发光的研究极有希望解决半导体照明、紫外半导体激光器等多种技术面临的瓶颈问题。综述了ZnO中激子的典型光致发光谱、激子的结构及复合发光过程。重点介绍了温度、激发功率、量子限域效应以及激光辐照等因素对ZnO激子发光的影响。 展开更多
关键词 薄膜光学 ZNO 激子 发光 吸收
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