氢原子(e,2e)反应离化振幅的分析(英文)

利用双势公式的后滞形式并且在入射的快电子近似的取为平面波的基础上,在共面非对称几何条件下计算了电子离化氢原子的三重微分散射截面.变换矩阵元可以解析的表示为结构散射因子和关联因子的乘积形式(关联因子和结构散射因子分别对应于recoil peak和binary peak)解决了由于大量的数值计算而带来的麻烦.本文引入一个有效电荷,通过对它进行调整考虑了变换矩阵元中的第一项的影响.最后把计算结果与实验结果及他人的结果进行了比较,与实验结果符合的很好.

库仑程函近似下非弹性散射振幅角分布的广义函数分析

在库仑程函近似框架下,引进实参量(时间扫描参数)积分,将能壳上跃迁矩阵元分为靶的结构因子和弹的扭曲因子,导出了非分波扭曲因子的主项表达式和结构因子的解析表达式,利用广义函数方法分析了电子与类氢离子的非弹性散射角分布.

As^+/N_2^+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布

采用双晶 X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的 As+ / N2 + 组合离子注入 Si的衍射曲线 ,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型 ,对衍射曲线进行拟合 ,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布 .在 5 0 0～ 90 0℃下进行等时热退火 ,对辐射损伤经退火的晶格恢复进行了研究 .用 L SS理论计算了同样注入条件下的杂质浓度分布 。

由m阶Bogoliubov变换产生一类新的非经典态

我们应用高阶的Bogoliubov变换算符b+=ν a+ μ a+作用在双光子相干态上 (或最小不确定压缩态 ) ,构造了一类新的非经典态广义激发双光子相干态。在双光子相干态表象中 ,我们给出了广义激发的双光子相干态的量子统计性质以及相位空间的准几率分布函数的解析表达式 ,我们选择某些特殊值λ和ρ时 ,这个态可约化为曾经报道过的其他类型的相干态 ,其数值计算都显示了该态具有很强的非经典行为 ,并且依赖激发度m和参数。结果表明 ,我们定义的量子态是更广泛的一类非经典态。