应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)的电子结构

本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)(n=1)的电子结构。计算了两种应变组态(赝晶生长,Free-Standing生长)下超晶格总的态密度,各原子的局域和分波态密度。我们发现:带隙E_g、费米能级E_f和原子价随应变的变化而变化;(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)超晶格中离子键和共价键共存;电子在界面附近发生了转移。

关系数据库处理层次模型的方法——浏览的方法

结合实际开发《教师科研管理系统》，研究了当数据模型为层次模型时，采用关系数据库系统软件ＦＯＸＰＲＯ３．０ＦＯＲＷＩＮＤＯＷ设计应用程序以及对库文件进行查询。

可寻址有线电视收费系统

本文提出一种对有线电视收费的管理、控制系统,能对用户交费进行管理;并具有对交费用户。

（Ge）_n／（Si）_n应变层超晶格的电子结构

本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。

声发射检测系统的应用

本文介绍了声发射检测系统的原理框图。

微机控制的串级调速系统

就串级调速系统实现微机控制的具体设计问题、微机系统、硬件和软件等三方面进行了介绍。

单片机控制的PWM交流变频调速系统

本文研究了脉宽调制变频调速系统的基本原理，论述了利用单片机控制ＰＷＭ，实现交流变频调速的方法．

声发射传感器技术与应用

本文介绍了声发射传感器的选材、制作结构、标定问题以及在工程技术中的安装方法。

绝热变分近似计算强磁场中氢原子的能级

在绝热变分近似下，计算了强磁场（β＝１～２０００）中氢原子的一些能级，并同其它结果进行了比较。发现采用的方法在磁场变弱时（如β～１），其计算结果比绝热近似有很大改进，而且在β≥１００时几乎可以同最精确的有限元方法和Ｒｓｎｅｒ［１］等人的类多组态ＨＦ方法的结果相比拟。

一种新的超突变结电容电压方程

本文对超突变结构变容二极管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致，解决了以往模型在这方面的不足。

SiC结构的多型性

本文介绍了ＳｉＣ结构的多型性及其表示方法，总结了迄今为止已发现的１６０余种多型体，并介绍了本文作者发现的一个新的多型体１１４Ｒ－ＳｉＣ．ＨＪ１〗

Windows NT平台上Intranet的组建

本文介绍了WindowsNT平台上组建Intranet的一般性建设方案,包括WebServer、FTPServer和EmailServer的具体建设过程.

同步整流器驱动方式对开关电源效率的影响

在低电压大电流输出的开关电源中，输出整流器的功率损耗是影响电源效率的关键因素．本文详细分析了在采用功率ＭＯＳＦＥＴ实现整流输出的同步整流技术中，同步整流器的驱动方式对电源效率的影响。

新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数

在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上，对变容管的容压变化指数ｎ与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究．根据导出的关系进行了数值计算。

超突变结变容管容压变化指数的研究

应用改进的超突变结变容管杂质分布模型，对以杂质分布的不同参数值为特征的容压变化指数ｎ进行了数值计算并绘成了关系曲线图。

声发射源定位的测试方法

本文作者介绍了声发射源定位的测试方法，推导了时差测量公式，设计了时差测量电路。

麦芽发芽和干燥控制机构的设计

本文介绍了生产啤酒的原料—麦芽发芽、干燥的工艺过程，设计了发芽。

逆变弧焊电源中IGBT管的保护

本文分析了ＩＧＢＴ管应用中经常损坏的原因，提出了两种ＩＧＢＴ保护的新方法，并对其进行了试验．

多孔硅的发光机理及应用

对多孔硅的发光机理和应用前景作了详细介绍。

压阻式传感器灵敏度特性分析

对圆形、正方形和矩形膜片力敏器件的灵敏度进行了详细剖析，计算并列出大量数据，指出影响压力传感器灵敏度的因素和提高灵敏度的有效途径，给出部分实验数据与理论分析符合较好。本分析对开发设计高灵敏度的力敏元件有重要指导意义。