通富微电和AMD成立IC封测合资企业

通富微电与美国超威半导体（AMD）日前签署股权购买协议，通富微电拟通过收购平台出资约3．7亿美金（具体金额待交割时确定）收购AMD苏州和AMD槟城各85％股权。收购完成后，通富微电作为控股股东与AMD共同成立集成电路封测合资企业。该交易尚需相关政府部门审批，

通富微电与厦门半导体成立合资公司

通富微电子股份有限公司（通富微电）发布公告称，计划与厦门半导体投资集团有限公司（厦门投资集团）以货币的形式共同出资，在厦门市海沧区投资项目公司一厦门通富微电子有限公司（厦门通富微电，暂定名）。

IGBT模块焊料层失效机理的研究进展

绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块以其高效节能、绿色环保、智能控制等特点,被认为是功率半导体中应用最广泛的开关器件。目前,IGBT模块由于较大的动态负载和较高的工作温度,面临诸多问题,其中焊料层热疲劳损伤是模块失效的主要因素。为促进IGBT模块安全可靠运行和新能源的可持续发展,需要对其问题及解决方法进行分析。本文从近年来国内外IGBT模块焊料层失效机理的相关研究出发,介绍IGBT焊料层的发展现状及存在的问题,包括焊料空洞、裂纹以及界面分离。指出通过在SAC焊料中添加Ni,Sb等可以有效改善机械特性;将空洞散布成多个小空洞,远离芯片中心,可以极大降低芯片结温,提高模块可靠性。采用DOE工艺参数方法和二次回流的新工艺可以有效减少焊料层空洞,以期对IGBT焊料层进一步发展起到引导作用。

IGBT模块封装回流焊的应力翘曲分析

为探究回流焊接工艺对功率器件封装的影响,应用DesignModeler建立了基于绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块的3D封装模型;运用ANSYS软件对IGBT模块进行热-结构耦合分析;结合单元生死法与焊料Anand模型得到IGBT模块温度分布、应力分布以及翘曲分布;最后利用正交分析法对不同组件厚度的翘曲及应力分布进行对比。结果表明:IGBT模块翘曲随基板厚度的增大而减小,随键合铜(direct bonded copper,DBC)铜层厚度的增大而增大,随纳米银焊料层厚度的增大先增大后减小。焊料层厚度对模块翘曲影响最大,纳米银焊料层厚度对模块翘曲影响最小,各组件参数对焊料层残余应力无较大影响。综合考虑得出最优的材料参数,翘曲结果较最初的参数降低了77.24%,为IGBT模块的封装设计提供参考。

硅通孔结构参数对信号传输性能的影响

利用ANSYS HFSS软件建立硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的信号-地(S-G)结构模型,在不同TSV的结构参数下对TSV信号的传输特性进行研究,将传输模型的插入损耗S21作为传输性能好坏的判断标准。结果表明:TSV的传输性能与TSV的半径、TSV的高度以及填充金属的表面积有关,与体积无关,即金属材料的填充率对插入损耗几乎没有影响。

企业成功必须客户至上

股东、员工、客户均是企业重要的利益相关者。中国最大的民企之一阿里巴巴董事长马云2016年2月称,＂阿里巴巴从成立到今天,16年来坚持客户第一,员工第二,股东第三。只有满足了客户的需求,员工快乐,才有可能创新;只要客户满意了,员工满意了,股东一定会满意。不要相信股东对你讲我是看长期效益,因为他今天可以卖掉你买个新的＂、＂我认为客户第一、员工第二、股东第三是21世纪企业的普世价值＂。价值观决定命运。对企业界来说,这三者之间应该是何种关系,是否应该进行价值排序,如何排序？