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农村固体废弃物污染现状及其处理处置技术
被引量:
10
1
作者
杨松梅
何曼妮
《农村经济与科技》
2014年第12期6-8,共3页
随着新农村建设力度的增大,农村环境的综合整治将受到越来越大的重视,而农村固体废弃物的处理处置对于解决农村环境污染意义重大。目前,农业生产、农村生活、乡镇企业是农村固体废弃物的三大主要输出口,产生的农村固体废弃物量大,种类...
随着新农村建设力度的增大,农村环境的综合整治将受到越来越大的重视,而农村固体废弃物的处理处置对于解决农村环境污染意义重大。目前,农业生产、农村生活、乡镇企业是农村固体废弃物的三大主要输出口,产生的农村固体废弃物量大,种类复杂。在分析农业生产、农村生活和乡镇企业三大固体废弃物特点的基础上,针对这三种固体废弃物污染的有效处理处置技术及其应用进行了整理和总结,以期为农村固体废弃物的处理技术的遴选提供参考。
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关键词
农业生产固体废弃物
农村生活固体废弃物
乡镇企业固体废弃物
农村垃圾
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职称材料
晶片退火对掺Zn GaAs晶片结构和光电性能的影响
2
作者
王元立
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期45-48,共4页
研究了多步晶片退火(MWA)工艺对垂直梯度凝固(VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响。采用Tencor6220表面缺陷分析仪和AccentRPM2000光致发光面分布系统对退火前后的晶片的结构和光学性能均匀性进行了表征,...
研究了多步晶片退火(MWA)工艺对垂直梯度凝固(VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响。采用Tencor6220表面缺陷分析仪和AccentRPM2000光致发光面分布系统对退火前后的晶片的结构和光学性能均匀性进行了表征,对MWA工艺改善晶片性能均匀性的原因进行了讨论。实验结果表明,MWA工艺处理大幅度提高了GaAs单晶片的结构和光电性能一致性,退火后晶片光致发光的强度均匀性小于2%,为在衬底上制备性能优异的光电器件打下了良好的基础。
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关键词
砷化镓
化合物半导体
晶片退火
光致发光分布
砷沉淀
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职称材料
紫外光激发的GaAs表面氧化反应研究
3
作者
任殿胜
吴怡
荆学建
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期38-41,共4页
用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下GaAs表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成、厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发下GaAs的表面氧化反应机理以及动力学历程。结果表明,紫外光激...
用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下GaAs表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成、厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发下GaAs的表面氧化反应机理以及动力学历程。结果表明,紫外光激发的氧化反应不同于热氧化反应,反应主要生成Ga2O3和As2O3,二者比例几乎相等。氧化过程可以分为两个不同阶段,初始阶段为线性生长,随后变为抛物线生长。
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关键词
砷化镓
紫外光
表面氧化
X射线光电子能谱仪
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职称材料
某晶体厂职业危害因素分析
被引量:
2
4
作者
黄传峰
潘亚娟
+6 位作者
张福钢
杜会方
赵玮
张敬
李春玲
杨松梅
闫慧芳
《工业卫生与职业病》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期184-185,共2页
关键词
职业危害因素
晶体生长
加工车间
发光二极管
砷化镓
移动电话
生产过程
物理因素
原文传递
题名
农村固体废弃物污染现状及其处理处置技术
被引量:
10
1
作者
杨松梅
何曼妮
机构
北京
通美晶体技术有限公司
北京市环境保护科学研究院
出处
《农村经济与科技》
2014年第12期6-8,共3页
文摘
随着新农村建设力度的增大,农村环境的综合整治将受到越来越大的重视,而农村固体废弃物的处理处置对于解决农村环境污染意义重大。目前,农业生产、农村生活、乡镇企业是农村固体废弃物的三大主要输出口,产生的农村固体废弃物量大,种类复杂。在分析农业生产、农村生活和乡镇企业三大固体废弃物特点的基础上,针对这三种固体废弃物污染的有效处理处置技术及其应用进行了整理和总结,以期为农村固体废弃物的处理技术的遴选提供参考。
关键词
农业生产固体废弃物
农村生活固体废弃物
乡镇企业固体废弃物
农村垃圾
分类号
X705 [环境科学与工程—环境工程]
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职称材料
题名
晶片退火对掺Zn GaAs晶片结构和光电性能的影响
2
作者
王元立
机构
北京
通美晶体技术有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期45-48,共4页
文摘
研究了多步晶片退火(MWA)工艺对垂直梯度凝固(VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响。采用Tencor6220表面缺陷分析仪和AccentRPM2000光致发光面分布系统对退火前后的晶片的结构和光学性能均匀性进行了表征,对MWA工艺改善晶片性能均匀性的原因进行了讨论。实验结果表明,MWA工艺处理大幅度提高了GaAs单晶片的结构和光电性能一致性,退火后晶片光致发光的强度均匀性小于2%,为在衬底上制备性能优异的光电器件打下了良好的基础。
关键词
砷化镓
化合物半导体
晶片退火
光致发光分布
砷沉淀
Keywords
GaAs
compound semiconductor material
wafer annealing
PL mapping
arsenic precipitates
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
紫外光激发的GaAs表面氧化反应研究
3
作者
任殿胜
吴怡
荆学建
机构
北京
通美晶体技术有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期38-41,共4页
文摘
用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下GaAs表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成、厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发下GaAs的表面氧化反应机理以及动力学历程。结果表明,紫外光激发的氧化反应不同于热氧化反应,反应主要生成Ga2O3和As2O3,二者比例几乎相等。氧化过程可以分为两个不同阶段,初始阶段为线性生长,随后变为抛物线生长。
关键词
砷化镓
紫外光
表面氧化
X射线光电子能谱仪
Keywords
GaAs
UV/Ozone
surface oxidation
XPS
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
某晶体厂职业危害因素分析
被引量:
2
4
作者
黄传峰
潘亚娟
张福钢
杜会方
赵玮
张敬
李春玲
杨松梅
闫慧芳
机构
中国疾病预防控制中心职业卫生与中毒控制所
通美晶体技术有限公司
出处
《工业卫生与职业病》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期184-185,共2页
关键词
职业危害因素
晶体生长
加工车间
发光二极管
砷化镓
移动电话
生产过程
物理因素
分类号
R134 [医药卫生—劳动卫生]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
农村固体废弃物污染现状及其处理处置技术
杨松梅
何曼妮
《农村经济与科技》
2014
10
下载PDF
职称材料
2
晶片退火对掺Zn GaAs晶片结构和光电性能的影响
王元立
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
3
紫外光激发的GaAs表面氧化反应研究
任殿胜
吴怡
荆学建
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
4
某晶体厂职业危害因素分析
黄传峰
潘亚娟
张福钢
杜会方
赵玮
张敬
李春玲
杨松梅
闫慧芳
《工业卫生与职业病》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
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