期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
ITO膜方块电阻测试条件的探讨
被引量:
4
1
作者
林钰
齐英
+2 位作者
辛荣生
贾晓林
仝奎
《河南教育学院学报(自然科学版)》
2000年第2期34-36,共3页
本文根据半导体材料薄层方块电阻的测试原理,探讨并提出了ITD膜方块电 阻的测试条件.
关键词
半导体材料
ITO(铟锡氧化物)
方块电阻
测试条件
下载PDF
职称材料
四配位过渡金属配合物空间构型的决定因素
2
作者
林钰
辛荣生
《河南教育学院学报(自然科学版)》
1998年第2期39-41,共3页
本文根据过渡金属离子和配位体的特性,探讨了影响四配位过渡金属配合物空间构型的主要因素。
关键词
四面体构型
平面正方形构型
配合物稳定化能(LFSE)
排斥作用
下载PDF
职称材料
题名
ITO膜方块电阻测试条件的探讨
被引量:
4
1
作者
林钰
齐英
辛荣生
贾晓林
仝奎
机构
河南教育
学院
化学
系
兰河南省轻工业职工
大学
郑州大学建工学院材料系
出处
《河南教育学院学报(自然科学版)》
2000年第2期34-36,共3页
文摘
本文根据半导体材料薄层方块电阻的测试原理,探讨并提出了ITD膜方块电 阻的测试条件.
关键词
半导体材料
ITO(铟锡氧化物)
方块电阻
测试条件
Keywords
Send-conductor material
ITD(indium-tin oxide)
sheet resistivity
measurement con- dition
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
四配位过渡金属配合物空间构型的决定因素
2
作者
林钰
辛荣生
机构
河南教育
学院
化学
系
郑州大学建工学院材料系
出处
《河南教育学院学报(自然科学版)》
1998年第2期39-41,共3页
文摘
本文根据过渡金属离子和配位体的特性,探讨了影响四配位过渡金属配合物空间构型的主要因素。
关键词
四面体构型
平面正方形构型
配合物稳定化能(LFSE)
排斥作用
分类号
O641 [理学—物理化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ITO膜方块电阻测试条件的探讨
林钰
齐英
辛荣生
贾晓林
仝奎
《河南教育学院学报(自然科学版)》
2000
4
下载PDF
职称材料
2
四配位过渡金属配合物空间构型的决定因素
林钰
辛荣生
《河南教育学院学报(自然科学版)》
1998
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部