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ITO膜方块电阻测试条件的探讨 被引量:4
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作者 林钰 齐英 +2 位作者 辛荣生 贾晓林 仝奎 《河南教育学院学报(自然科学版)》 2000年第2期34-36,共3页
本文根据半导体材料薄层方块电阻的测试原理,探讨并提出了ITD膜方块电 阻的测试条件.
关键词 半导体材料 ITO(铟锡氧化物) 方块电阻 测试条件
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四配位过渡金属配合物空间构型的决定因素
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作者 林钰 辛荣生 《河南教育学院学报(自然科学版)》 1998年第2期39-41,共3页
本文根据过渡金属离子和配位体的特性,探讨了影响四配位过渡金属配合物空间构型的主要因素。
关键词 四面体构型 平面正方形构型 配合物稳定化能(LFSE) 排斥作用
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