晶界偏聚与材料脆断间关系的理论研究进展

综述和简要评价了晶界偏聚和材料脆性断裂之间关系的理论研究进展情况。

非晶硅薄膜的快速热退火机理研究

采用RTA方法对PECVD沉积的a-S i:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法。通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理。研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用。

ZL1 0 8合金淬火敏感性的研究

考察了 ZL1 0 8合金在不同淬火速率下的综合机械性能 ,研究了合金的淬火敏感性 ,并初步确定了该合金较佳的淬火速率 .实验结果表明 :合金的屈服强度 σ0 .2 与淬火速率 δ′的对数值之间存在着线性关系 ,σ0 .2 =4 8.99log(δ′) +2 2 6.6(MPa) .当淬火速率由 0 .7℃ / s升高至 33.7℃ / s,合金的抗拉强度σb、伸长率 δ5以及断裂吸收功 E上升 ;而当淬火速率继续升高至 63.5℃ / s时 ,σb,δ5和 E明显降低 .在60℃水中淬火 ,即淬火速率为 33.7℃ / s时 ,ZL1 0

电解低钛铝合金在变形合金6063中的应用研究

研究了电解低钛铝合金的细化效果,结果表明,通过电解加低含量的钛可以使工业纯铝晶粒明显细化,由粗大的柱状晶变成等轴晶。用电解低钛铝合金直接配制6063合金时,得到的也是细小均匀的等轴晶粒。钛含量相同时,电解低钛铝合金的细化效果优于铝-钛中间合金的细化效果。

CVD金刚石膜生长过程的Raman分析

采用激光Raman散射分析法对CVD金刚石膜的生长过程进行研究 ,讨论在金刚石膜生长的不同阶段 。

金刚石涂层刀具的研究进展

针对CVD金刚石在刀具上主要应用类型，着重介绍了金刚石涂层刀具的研究进展与 现状。论述了基体材料的选择，以及分析了硬质合金金刚石涂层刀具的技术特点，并指出了 进一步深入研究的方向。

钛含量对6063合金的时效特性及强化相的影响

研究了Ti含量对6063合金时效特性及强化相的影响。结果表明,随着钛含量增多,时效硬化速度降低,达到峰值时效时间变短,峰值硬度降低;随着钛含量增多,强化相体积增大,致密度减小,强度降低。

ZnO薄膜发光特性的研究进展

ZnO薄膜具有压电、光电、压敏、气敏、发光等多种特性,应用极为广泛。针对ZnO薄膜的发光特性,对ZnO薄膜的制备、影响其发光特性的因素及其发光机理的研究进展进行了综述。

铝硅钛合金的疲劳性能

以电解铝硅钛合金为基 ,在工厂的生产条件下熔炼成与 ZL10 8合金成份基本相同的铸造 AST10 8铝合金 ;对比分析研究了 AST10 8和 ZL10 8合金的疲劳性能 .结果表明 ,AST10 8合金比 ZL10 8合金具有更长的疲劳寿命 ,其主要原因是由于 AST10 8合金中自然存在的钛元素细化了 α(A1)晶粒 ,也使共晶硅粒子分布更加均匀 .用扫描电镜对疲劳断口观察后发现 ,疲劳裂纹都萌生于试样表面或亚表面的氧化物夹杂等缺陷处 ,减少夹杂等铸造缺陷对提高铸造铝合金的疲劳性能有利 .

掺稀土Ce的金刚石薄膜光致发光研究

制备了不同注入剂量的 Ce3 + 掺杂金刚石薄膜 ,研究了其光致发光特性 ,得到了发光主峰位于蓝紫区(42 1nm和 4 6 2 nm处 )的光发射 .实验中发现随着 Ce3 + 注入剂量的增加 ,器件光致发光的强度也逐渐增加 ,并对这些实验现象作了解释 .

多孔陶瓷的制备应用及展望

综述了多孔陶瓷常用的几种制备方法和对材料性能的影响因素,介绍了多孔陶瓷在各领域中的应用,对目前存在的问题和发展方向作出了探讨。

氮气流量对氮化碳薄膜场致发射特性的影响

采用直流磁控溅射的方法 ,以镀 Ti瓷片为衬底 ,改变 N2 和 Ar的流量比 ,在衬底温度为 40 0℃条件下制备了氮化碳薄膜 ,并对其场致发射特性进行研究 ,样品的开启电压为 2 .67V/μm,最大电流密度为 1 7.3 1 μA/cm2 ,比在同一系统制备的碳膜和用阴极电弧技术制备的氮化碳薄膜有更好的场发射特性 .结果表明 :溅射气体中氮气含量对氮化碳薄膜的场发射特性有较大的影响 .

Sb吸附在GaAs(110)(1×1)-Sb(1ML)表面上的电子态特性

采用紧束缚的ｓｐ３ｓ模型描述体电子态，用散射理论的格林函数方法研究了Ｓｂ吸附在ＧａＡｓ（１１０）表面上的电子特性．计算结果表明：在－１２ｅＶ—＋２ｅＶ的能区内有９个表面态存在，对于这样的金属／半导体系统仍有带隙存在，其带隙宽度为０．４ｅＶ左右；体系的性质表现为半导体的性质。

织构ZnO:Al与p-μ c-Si:H薄膜接触特性的研究

用PECVD法在不同织构ZnO:Al上沉积了p-μc-Si:H薄膜,研究了不同织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触特性,研究结果表明:在织构后的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜的晶化率均大于在未织构的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜,且织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触电阻也均小于未织构的,且织构时间最佳点为15s。

Si( 31 3)表面电子结构特性的理论研究

利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻近似下的 sp3s模型 ,首次计算了半导体 Si的(31 3)高指数表面的表面电子结构 .采用层轨道表象及表面投影技术 ,给出了 (31 3)表面在二维布里渊区高对称点的波矢可分辨的电子态密度和表面投影能带结构 .计算结果表明 :(31 3)表面在-1 0 e V到 +2 e V的能区内存在 6个主要的表面态 .在此基础上讨论了各表面态的色散特性。

淬火速率对砂铸Al-7Si-0.4Mg合金拉伸性能及疲劳裂纹扩展行为的影响

研究了淬火速率对峰值时效状态下的砂铸Al 7Si 0 .4Mg合金拉伸性能及疲劳裂纹扩展行为的影响。结果表明 ,随着淬火速率的提高 ,合金的抗拉强度、屈服强度以及α(Al)相的显微硬度均有提高 ,抗拉强度和屈服强度与淬火速率的对数值近似成线性关系。淬水速率对合金的延伸率影响较小 ,但对合金的室温疲劳裂纹扩展速率有明显影响 。

淬火条件对砂铸A356合金疲劳裂纹扩展速率的影响

在相同固溶和时效条件下 ,选择 3种不同温度的水对砂铸A35 6合金进行了淬火处理 ,并对这 3种不同淬火态下的合金进行了拉伸及疲劳裂纹扩展性能研究。结果表明 ,随淬火介质温度的降低 ,淬火冷却速率提高 ,合金的强度增加 ,塑性下降 ;当应力比R较低时 ,淬火条件对合金疲劳门槛区的裂纹扩展有明显影响 ,降低淬火介质温度可以提高合金的疲劳裂纹扩展阻力。此外 ,不同淬火态合金的疲劳裂纹扩展均明显地表现出与应力比R的相关性 。

超导磁悬浮涡旋电流元模型磁场分布特征

通过详细分析超导磁悬浮特征,论述了各理论模型与实际应用情况存在的偏离,其原因在于理论上为超导体设置边界,从而严重限制了超导体对外磁场的动态响应。为了避免这种缺陷,文中取自然边界,并将涡旋电流(VC)作为独立的微磁场源与外磁场相互作用,运用基本电磁场理论描述超导磁悬浮特征。经过严格推导,给出了超导磁悬浮系统的磁场分布表达式。对测量结果进行反演,有望为超导透析技术奠定理论依据。

SrFeO_(3-x)氧脱附和吸附的热重法分析

用热分析仪研究了具有钙钛矿结构的材料 Sr Fe O3- x在 2 0 0℃～ 90 0℃温度区间氧的脱附和吸附 .等温氧吸附动力学的测量表明 ,Sr Fe O3- x在 2 0 0℃时仍然有较快的吸附速率 ,饱和吸附量随温度的降低而增大 .用多个升温速率法测量了 Sr Fe O3- x的氧脱附活化能 ,在 5 0 0℃～ 6 0 0℃温区 ,活化能约为 2 0 0 k J/

SrFeO_(3-x)对氧的吸附及对甲苯的催化作用

It was found that SrFeO3-xhas the oxygen breathing properties.The oxygen adsorption isotherms of SrFeO3-x were measured at temperature ranging from 300℃ to 700℃.The oxygen saturated adsorptivity increased with reducing temperature.And the activity of SrFeO3-x catalysing the oxidation of toluene was measured in air.Experimental results showed that the conversation of toluene on SrFeO3-x in air was improved with temperature rising up and space velocity slowing down.