氮掺杂对4H-SiC电子结构的影响

采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H-SiC的本征态的电子结构以及4H-SiC材料N掺杂后的电子结构,计算结果表明:与本征态相比,N掺杂后的4H-SiC的导带与价带均向低能端移动,导带移动幅度大于价带,使得掺杂后的禁带宽度小于本征态的禁带宽度:导带底进入N的2s态和2p态,但它们所占比重小,掺杂浓度变化对导带底影响较小;价带顶进入N的2p态,随掺杂浓度增加,其向低能端移动较多,使得禁带宽度增大。

兼具高亮度高效率量子点发光二极管(QLED)的结构设计及应用研究

量子点发光二极管(QLED)存在高亮度时效率低、高效率下亮度低的问题。如何在高亮度的同时保持高效率、且具有高稳定性,是QLED领域亟需解决的难题,也是制约其在高亮高效显示和照明领域应用的关键技术瓶颈。针对这一挑战,本研究团队通过设计以硒为阴离子贯穿元素的核壳结构量子点(CdSe/ZnSe),优化了发光层能级与传输层能级的匹配,提高了载流子的注入效率和平衡,从而实现了器件整体性能的大幅度提升。在可见光区标志性的红、绿、蓝三基色QLED器件上,获得的最高亮度和外量子效率分别达到356 000、614 000、62 600cd/m^2和21.60%、22.90%、8.05%。在器件稳定性方面,红色和绿色QLED器件的寿命达到160万小时以上,蓝色的寿命达到7 000小时以上,解决了以往QLED在高亮度下低效率、高效率下低亮度的关键难题,首次实现了兼具高亮度高效率的红、绿、蓝QLED器件,原理上展示了QLED在显示与照明两大领域都将大有作为。