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氮掺杂对4H-SiC电子结构的影响
被引量:
4
1
作者
郭小伟
罗荣辉
+3 位作者
张操
刘小玲
楚广勇
霍艳芳
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期20-22,共3页
采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H-SiC的本征态的电子结构以及4H-SiC材料N掺杂后的电子结构,计算结果表明:与本征态相比,N掺杂后的4H-SiC的导带与价带均向低能端移动,导带移动幅度大于价带,使得掺杂后的禁带宽度小于本征态...
采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H-SiC的本征态的电子结构以及4H-SiC材料N掺杂后的电子结构,计算结果表明:与本征态相比,N掺杂后的4H-SiC的导带与价带均向低能端移动,导带移动幅度大于价带,使得掺杂后的禁带宽度小于本征态的禁带宽度:导带底进入N的2s态和2p态,但它们所占比重小,掺杂浓度变化对导带底影响较小;价带顶进入N的2p态,随掺杂浓度增加,其向低能端移动较多,使得禁带宽度增大。
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关键词
4H—SiC
掺杂
第一性原理
电子结构
下载PDF
职称材料
兼具高亮度高效率量子点发光二极管(QLED)的结构设计及应用研究
被引量:
28
2
作者
申怀彬
高强
+6 位作者
林岳
李晓光
贾瑜
王书杰
杜祖亮
李林松
张振宇
《中国科学基金》
CSCD
北大核心
2019年第4期342-345,共4页
量子点发光二极管(QLED)存在高亮度时效率低、高效率下亮度低的问题。如何在高亮度的同时保持高效率、且具有高稳定性,是QLED领域亟需解决的难题,也是制约其在高亮高效显示和照明领域应用的关键技术瓶颈。针对这一挑战,本研究团队通过...
量子点发光二极管(QLED)存在高亮度时效率低、高效率下亮度低的问题。如何在高亮度的同时保持高效率、且具有高稳定性,是QLED领域亟需解决的难题,也是制约其在高亮高效显示和照明领域应用的关键技术瓶颈。针对这一挑战,本研究团队通过设计以硒为阴离子贯穿元素的核壳结构量子点(CdSe/ZnSe),优化了发光层能级与传输层能级的匹配,提高了载流子的注入效率和平衡,从而实现了器件整体性能的大幅度提升。在可见光区标志性的红、绿、蓝三基色QLED器件上,获得的最高亮度和外量子效率分别达到356 000、614 000、62 600cd/m^2和21.60%、22.90%、8.05%。在器件稳定性方面,红色和绿色QLED器件的寿命达到160万小时以上,蓝色的寿命达到7 000小时以上,解决了以往QLED在高亮度下低效率、高效率下低亮度的关键难题,首次实现了兼具高亮度高效率的红、绿、蓝QLED器件,原理上展示了QLED在显示与照明两大领域都将大有作为。
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关键词
量子点发光二极管
核壳结构
外量子效率
高效高亮
原文传递
题名
氮掺杂对4H-SiC电子结构的影响
被引量:
4
1
作者
郭小伟
罗荣辉
张操
刘小玲
楚广勇
霍艳芳
机构
郑州大学物理与工程学院
出处
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期20-22,共3页
文摘
采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H-SiC的本征态的电子结构以及4H-SiC材料N掺杂后的电子结构,计算结果表明:与本征态相比,N掺杂后的4H-SiC的导带与价带均向低能端移动,导带移动幅度大于价带,使得掺杂后的禁带宽度小于本征态的禁带宽度:导带底进入N的2s态和2p态,但它们所占比重小,掺杂浓度变化对导带底影响较小;价带顶进入N的2p态,随掺杂浓度增加,其向低能端移动较多,使得禁带宽度增大。
关键词
4H—SiC
掺杂
第一性原理
电子结构
Keywords
4H- SiC: doping
first - principles: electronic structure
分类号
TN248.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
兼具高亮度高效率量子点发光二极管(QLED)的结构设计及应用研究
被引量:
28
2
作者
申怀彬
高强
林岳
李晓光
贾瑜
王书杰
杜祖亮
李林松
张振宇
机构
河南
大学
特种功能材料重点实验室/高效显示与照明技术国家地方联合
工程
中心/纳米功能材料与应用协同创新中心
中国科学技术
大学
国际功能材料量子设计中心/合肥微尺度物质科学国家研究中心/量子信息与量子
物理
协同创新中心
深圳
大学
高等研究院
中国科学技术
大学
合肥微尺度物质科学国家研究中心
郑州大学物理与工程学院
出处
《中国科学基金》
CSCD
北大核心
2019年第4期342-345,共4页
基金
国家自然科学基金(项目批准号:U1604261,61474037,61504040)资助
文摘
量子点发光二极管(QLED)存在高亮度时效率低、高效率下亮度低的问题。如何在高亮度的同时保持高效率、且具有高稳定性,是QLED领域亟需解决的难题,也是制约其在高亮高效显示和照明领域应用的关键技术瓶颈。针对这一挑战,本研究团队通过设计以硒为阴离子贯穿元素的核壳结构量子点(CdSe/ZnSe),优化了发光层能级与传输层能级的匹配,提高了载流子的注入效率和平衡,从而实现了器件整体性能的大幅度提升。在可见光区标志性的红、绿、蓝三基色QLED器件上,获得的最高亮度和外量子效率分别达到356 000、614 000、62 600cd/m^2和21.60%、22.90%、8.05%。在器件稳定性方面,红色和绿色QLED器件的寿命达到160万小时以上,蓝色的寿命达到7 000小时以上,解决了以往QLED在高亮度下低效率、高效率下低亮度的关键难题,首次实现了兼具高亮度高效率的红、绿、蓝QLED器件,原理上展示了QLED在显示与照明两大领域都将大有作为。
关键词
量子点发光二极管
核壳结构
外量子效率
高效高亮
Keywords
quantum dot light-emitting diodes
core-shell structure
external quantum efficiency
high brightness and efficiency
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮掺杂对4H-SiC电子结构的影响
郭小伟
罗荣辉
张操
刘小玲
楚广勇
霍艳芳
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2011
4
下载PDF
职称材料
2
兼具高亮度高效率量子点发光二极管(QLED)的结构设计及应用研究
申怀彬
高强
林岳
李晓光
贾瑜
王书杰
杜祖亮
李林松
张振宇
《中国科学基金》
CSCD
北大核心
2019
28
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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