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半无限半导体超晶格的表面激发
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作者 张耀举 张涛 危书义 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1991年第1期25-29,共5页
本文应用电磁理论和方法对顶端覆盖——金属——绝缘层的半无限半导体超晶格(M-I-SL)集体电荷密度激发的色散关系作了推导。发现在体等离子激元(plasmon)连续带之下的表面等离子激元的临界波矢可以靠改变绝缘层厚度与超晶格周期的比值... 本文应用电磁理论和方法对顶端覆盖——金属——绝缘层的半无限半导体超晶格(M-I-SL)集体电荷密度激发的色散关系作了推导。发现在体等离子激元(plasmon)连续带之下的表面等离子激元的临界波矢可以靠改变绝缘层厚度与超晶格周期的比值而任意改变,甚至可以使临界波矢变为零。 展开更多
关键词 半导体 超晶格 半无限 表面激发
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