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正弦平方势和形变超晶格的沟道特征 被引量:5
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作者 邵明珠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期353-360,共8页
本文利用我们曾提出的粒子-晶体相互作用势(正弦平方势)讨论了带电粒子在形变超晶格中的运动行为,导出了共振退道时的退道系数,指出了用沟道技术研究形变超晶格的灵敏性、可靠性和重要性。
关键词 半导体材料 超晶格 外延生长 沟道
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