光电耦合器内部气氛控制技术及工艺研究

为满足尖端领域对高可靠性元器件内部气氛控制的要求,分析了内部气氛的构成及现有内部气氛控制水平,并基于现有工艺,采取多维度内部气氛控制的工艺措施,在各工艺维度上,通过试验研究对工艺条件进行迭代验证,并增加配套控制措施,确定了各工艺维度的条件。经过试验验证,内部气氛控制水平有显著提升,可满足航天高可靠性的控制要求且有较大余量。

基于光电混合反馈控制的光电振荡器稳频研究

光电振荡器具有输出信号相位噪声低、频率可调的优点,已成为军民应用领域的研究热点。然而,目前光电振荡器存在输出信号频率不稳定的核心问题,这限制了其在工程中的应用和推广。基于此,文章研究了光电振荡器频率漂移机理,提出了一种基于光电混合反馈控制的光电振荡器频率稳定方法,该方法在保证光电振荡器低相噪的情况下可同时实现光电振荡器特定振荡频率的稳定输出。实验测试得到光电振荡器的稳定度达到了5.6×10^(-12)/天,这可以满足工程中对频率稳定的应用需求。

多元化企业组织结构与企业绩效——基于四川、重庆两地的研究

理论文献认为事业部制能提高多元化企业的绩效。以2012年四川、重庆两地81家多元化企业为样本数据,分析多元化企业组织结构与企业绩效之间的关系。通过单因素方差分析和多元回归模型等方法,发现使用事业部制的组织结构比使用职能型和母子公司制的组织结构更能提高多元化企业的绩效;样本企业的多元化程度越高,企业的绩效越低。

GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池技术研究进展

GaAs太阳电池由于其性能优越,成为了光伏领域的发展重点。简单介绍了GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池的应用和研究进展,并对其发展趋势进行了展望。

模拟微波光传输链路中的相位检测技术研究

针对目前模拟微波光子信号在长距离传输中相位不稳的现象,提出了一种基于双载波矢量和原理的相位检测技术。文中对该技术的基本检测原理进行了详细推导;实验上以1GHz的射频信号为例,对其光路设计、实验进行了系统研究。实验结果显示,该相位检测系统可对1GHz信号实现精度优于3°的相位检测。基于该方案的相位检测系统由于分辨率高、结构简单、易于构建等优点可推广至毫米波频段,应用于光控相控阵、本振信号传输以及空间技术等多个领域的相位检测,进一步实现稳相传输。

硅片背面减薄技术研究

硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表面和截面形貌进行了表征,用原子力显微镜测试了硅片表面的粗糙度,用翘曲度测试仪测试了硅片的翘曲度。结果表明,经过粗磨与精磨后的硅片存在机械损伤,表面粗糙且翘曲度大,粗糙度分别为0.15和0.016μm,翘曲度分别为147和109μm;经过抛光和湿法腐蚀后的样品无表面损伤,粗糙度均小于0.01μm,硅片翘曲度低于60μm。

保偏光纤环与Y波导芯片直接耦合技术研究

光纤陀螺光路结构中,Y波导器件与保偏光纤环通过尾纤熔接的方式连接形成闭合回路来敏感系统相对惯性空间的转动信息,而熔接点引入的偏振交叉耦合以及背向反射是制约光纤陀螺测量精度进一步提高的主要因素。为此,提出了一种实现保偏光纤环与Y波导芯片直接耦合的方法,并制作了两者直接耦合的敏感环光路。经实验测试,光路中Y波导器件的插入损耗典型值为2.7dB,分光比优于48/52~52/48,偏振串音优于-30dB,性能指标与常规的Y波导器件相当。该光路模块理论上有利于减小光纤陀螺系统噪声和提高测量精度。

CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术研究

太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化,甚至造成永久性损毁。文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究,从版图设计、电路设计等方面提出相应的抗辐射策略,并进行了总剂量和单粒子试验。试验结果表明,采用抗辐射加固技术设计制作的CMOS图像传感器具备抗总剂量和单粒子辐射能力,当总剂量达到100krad(Si)、单粒子辐射总注量达到1×10^7 p/cm^2时,器件的关键指标变化符合预期要求。

紫外图像传感器技术研究进展

介绍了两类主要的紫外图像传感器技术的最新研究进展,根据其特点对它们在特定紫外成像应用需求中的优势和不足进行了简要分析,最后对这些紫外图像传感器技术的未来发展进行了展望。

CCD MPP结构制作工艺技术研究

在1024×1024可见光电荷耦合器件(CCD)的基础上增加了MPP(Multi-Pinned Phase)结构设计和工艺制作。制得的1024×1024可见光MPP CCD实现了MPP功能,有效抑制了CCD表面暗电流的产生。当MPP注入剂量为(6±2)×1011cm-2时,其暗电流密度下降了2/3,满阱电荷下降了1/2。

铌酸锂M-Z调制器偏置点控制技术的实用化研究

激光发射机的信号调制方式对其传输信号的指标有很大影响,为满足噪声系数等指标要求,C波段频率以上射频信号主要采用M-Z调制器来加载调制信号。针对调制器使用中偏置点的控制方式进行了讨论,并重点研究了其中的导频法,从该方法在雷达和通信系统中应用时存在的问题入手,对已有的控制算法进行改进,设计了偏置工作点控制方案,经实际测试和工程化验证,表明其控制效果满足实用化需求。

长线阵12000元CCD密封技术研究

针对长线阵12000元CCD封装密封技术进行了探讨,比较了目前封装中的几种主流封盖技术的特点,表明采用胶封技术在目前对CCD来说是一种合理选择。针对紫外胶A,进行了胶封工艺的开发。对氟油粗检漏技术进行了分析,最终采用了一种新的氦气加压常温气泡检漏法对器件的密封效果进行考核检测。

碳纳米管光电器件光学特性的电磁模型研究

针对基于碳纳米管阵列构成的光电器件,建立基于场效应器件结构的电磁散射模型,对其光电吸收特性进行了仿真分析。模型仿真结果表明,当碳纳米管阵列间距为入射光波长的整数倍时,碳纳米管的吸收功率达到峰值,当在两个波长之间,吸收功率按线性衰减,对应于入射光的不同倍数波长的吸收功率的峰值随波长的增加而线性衰减。在吸收功率峰值附近,吸收功率随阵列周期间距的变化而敏感。

星载高灵敏度平衡光电探测器研究

设计了一种由平衡光电二极管芯片和跨阻放大器混合集成的星载高灵敏度平衡光电探测器。平衡光电二极管芯片采用双InP-InGaAs光电二极管单元单片集成的内平衡结构,以降低芯片自身噪声,提高探测器灵敏度。通过Cadence仿真软件对集成了正负双向电流输入电路、自动增益控制电路和反相器型输入电路的闭环放大器结构进行了仿真,得到等效噪声功率、带宽和增益三者之间的关系,制作出适配平衡光电二极管芯片的跨阻放大器。搭建1.55μm激光测试系统对研制的探测器进行性能测试,结果显示,其3dB带宽为1.58GHz,等效噪声功率密度为5.96pW/Hz^1/2,共模抑制比为42.04dB(@DC^1.58GHz),在相干激光通信系统中的接收灵敏度达到-61dBm。

常规XRD对超薄PtSi/Si膜的表征技术的研究

由于超薄金属半导体薄膜在微电子领域具有广泛应用前景，因而对它的研究也越来越深入。针对超薄铂硅膜的超薄性和半导体基底给表征分析带来的困难，通过实验，用常规 Ｘ Ｒ Ｄ， Ｘ Ｐ Ｓ 研究了单晶硅基片上生长超薄铂硅膜表征技术，测出厚度约为３ ｎｍ 的铂硅膜的物相成分为 Ｐｔ Ｓｉ， Ｐｔ２ Ｓｉ。

导光管式高隔离电压光电耦合器击穿机理研究

对击穿后的导光管式高隔离电压光电耦合器的内部损伤痕迹的研究表明,高电压下器件内部的局部放电引起的持续烧蚀导致了前后级之间的击穿。分析局部放电的部位后,结合附近存在气隙缺陷的情况,在ANSYS下对气隙附近的电场强度分布进行了建模计算。结果表明:局部放电是因气隙内空气的低介电强度所致,并因导电胶的渗透得到加强。在采取结构与工艺措施避免气隙缺陷与导电胶渗透之后,局部放电得到消除,导光管式高隔离电压光电耦合器的最低击穿电压(VISO)从23.8kV提高到了33.5kV。

空封光电耦合器内部多余物颗粒PIND检出概率研究

空封光电耦合器内部残留的多余物颗粒对其可靠性有严重影响,粒子碰撞噪声检测(PIND)是多余物颗粒检测的主要手段,但是存在一定的漏检。基于PIND试验中的电压采样数据建立了检出概率的模型,并利用该模型研究了同等质量下典型颗粒的分布区域、试验频率与检出概率的关系,结果表明陶瓷颗粒和导电胶颗粒分别受到碰撞对象硬度和颗粒粘附性的较大影响,使其在不同区域的检出概率具有明显差异,其中导电胶颗粒的检出概率因颗粒弹性弱而整体偏小,但在试验频率上升后有明显改善,而短金丝因粘附性弱、弹性强,检出概率大且稳定。据此提出了对典型多余物颗粒的控制与检测方法,采用该方法能够有效地提高光电耦合器的可靠性。所用模型和研究方法可推广至其他空封元器件的类似研究中。

CCD彩色滤光片的制备与集成技术研究

介绍了彩色CCD的器件结构和成像原理,采用彩色光刻胶光刻法实现了彩色滤光片的制备,并通过分析彩色滤光片缓冲层、滤光片厚度和固化工艺等对滤光片性能的影响,获得了彩色滤光片的片上集成技术,并将其集成在512×512帧转移CCD器件上,完成了性能评价与成像验证。测试结果表明:制备的彩色滤光片主线透过率大于80%,光谱串扰小于15%,色纯度大于75%,集成该滤光片的彩色CCD成像色彩空间与sRGB相当,能够满足大多数CCD相机彩色成像的要求。

In掺杂ZnO透明导电薄膜光电性质的研究

采用射频磁控溅射技术成功制备出无掺杂和In掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了In掺杂对薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明,In掺杂有利于提高ZnO薄膜结晶度,使薄膜表面更加致密平整;由于In3+替代了Zn2+,提供了大量的剩余电子,使薄膜的导电性质得到了很大的提高,所得薄膜的最小电阻率为4.3×10-3Ω.cm。制备的ZnO薄膜在可见光范围的透过率达到了85%,In的掺杂对透光率的影响不大。

光电耦合器的辐照损伤机理研究现状及趋势

随着光电耦合器件在空间环境和核辐射领域的广泛应用,近年来对光电耦合器件的抗辐照性能的研究越来越多。文章主要介绍了辐照对光电耦合器的损伤机理,重点介绍了光电耦合器的辐照效应,特别是电参数辐照效应;针对光电耦合器目前研究的情况,分析了其研究趋势,并提出了一种新的光电耦合器辐照研究方法———低频噪声可靠性表征方法。