pnp型SiGe HBT的制备研究

从pnp型Si/SiGeHBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGeHBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料,并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGeHBT器件。器件参数为:Vcb0=9V,Vce0=2.5V,Veb0=5V,β=10。